【导读】判断三极管饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和；

3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制

问题：基极电流达到多少时三极管饱和？

解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。

判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在  且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。             

影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和；2.管子的放大倍数  放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；

饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）

谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。

另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。

注意：饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应该属于深饱和了。

从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。

以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。

如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R

在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：

图中假定电源电压为4V，绿色的斜线是负载电阻为80欧姆的负载线，V/R=50MA，图中标出了Ib分别等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作点A、B、C、D、E、F。据此在右侧作出了Ic与Ib的关系曲线。根据这个曲线，就比较清楚地看出“饱和”的含义了。曲线的绿色段是线性放大区，Ic随Ib的增大几乎成线性地快速上升，可以看出β值约为200。兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。

由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

图中还画出了负载电阻为200欧姆时的负载线。可以看出，对应于Ib=0.1mA，负载电阻为80欧姆时，晶体管是处于线性放大区，而负载电阻200欧姆时，已经接近进入饱和区了。负载电阻由大到小变化，负载线以Vce=4.0为圆心呈扇状向上展开。负载电阻越小，进入饱和状态所需要的Ib值就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。在负载电阻特别小的电路，例如高频谐振放大器，集电极负载是电感线圈，直流电阻接近0，负载线几乎成90度向上伸展（如图中的红色负载线）。这样的电路中，晶体管直到烧毁了也进入不了饱和状态。以上所说的“负载线”，都是指直流静态负载线；“饱和”都是指直流静态饱和。

用三极管需要考虑的问题：

3）速度够不够快（有时却是要慢速）

4）B极控制电流够不够

5）有时可能考虑功率问题

6）有时要考虑漏电流问题（能否“完全”截止）。

7）一般都不怎么考虑增益（我的应用还没有对此参数要求很高）

实际使用时，晶体管注意四个要素就行：-0.1~-0.3V振荡电路， 0.65-0.7V放大电路，0.8V以上为开关电路，β值中放、高放为30-40，低放60-80，开关100-120以上就行，不必研究其它的，研究它的共价键、电子、空穴没用

Vce=VCC（电源电压）-Vc（集电极电压）=VCC-Ic（集电极电流）Rc（集电极电阻）。

可以看出，这是一条斜率为-Rc的直线，称为“负载线”。当Ic=0时，Vce=Vcc。当Vce=0时（实际上正常工作时Vce不可能等于0，这是它的特性决定的），Ic=Vcc/Rc。也就是说，Ic不可能大于这个数值。对应的基极电流Ib=Ic/β=Vcc/βRc，这就是饱和基极电流的计算公式。

饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当Ib=Vcc/βRc时，三极管基本处于临界饱和状态。

当基极电流大于此值的两倍，三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的Vce差很大。临界饱和压降大，但退出饱和容易；深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以，不同用途选择的基极电流是不一样的。

还有，饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反（集电极电阻越大，饱和集电极电流就越小，饱和压降越小）。如果集电极电流5毫安时三极管饱和，9013、9012之类的饱和压降一般不超过0.6伏。基极电流超过两倍Vcc/βRc时，一般饱和压降就小到0.3V左右了。

题目所在试卷参考答案：

1.[解析]双键、三键中都含有π键，原子之间难以形成双键、三键，实质是难以形成π键，因为锗的原子半径较大，形成σ单键的键长较长，p、p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠，故锗原子难以形成π键。

[答案]Ge原子半径大，原子间形成的σ单键较长，p、p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠，难以形成π键；共价键

5.C有4个价电子且半径小，难以通过得或失电子达到稳定电子结构

10.[解析]羰基硫与CO₂是等电子体，结构式类似于CO₂。

11.[解析]N₂、CN^－与CO互为等电子体；因为N₂的电子式为，所以CO的电子式为，其结构式为 (有一个配位键)。

12.[解析]C和Cl之间为σ键，C和O之间为一个σ键、一个π键，因此该分子中含有3个σ键、1个π键。

13.[解析]由于在BCl₃中B原子无孤电子对，但有空轨道，所以提供孤电子对的原子是X。

14.离子键、共价键、配位键

15.[解析]C元素的一种单质相对分子质量为720，该分子中C原子数为＝60，即C₆₀；由图知，该分子结构中含有碳碳单键和碳碳双键，分子中所含的碳碳双键数就是π键的数目，每个碳原子成3个δ键，每个碳原子剩余的一个价电子用于形成π键，形成π键需要两个碳原子，因此π键数目为＝30。

烃只含碳氢两种元素，其中饱和烃只含有单键（碳碳单键和碳氢单键），而不饱和烃含有碳碳双键或碳碳叁键。

烷烃是典型的饱和烃，烯烃、炔烃、芳香烃是典型的不饱和烃。

饱和烃定义为由碳-碳键组成的烃。所有的碳-碳键都是单键，即它们只包括氢和原子。在饱和烃中，碳与四到五个饱和原子键合，因此不会形成多重键。由于饱和烃是一种有机化合物，其中不能存在多重键。

一些烷烃具有属于环烷烃(饱和烃)的环状结构。烷烃是结构中的碳链。烷烃中的所有碳原子都是杂化的。环烷烃是含有杂化原子的环状结构。环烷烃的性质与烷烃相似。与烷烃不同，环烷烃的熔点/沸点相对较高。烷烃和环烷烃具有相同的物理性质。

不饱和烃定义为由双/三共价键组成的碳。不饱和碳氢化合物意味着碳氢化合物中有更多的氢原子使它们饱和。不饱和烃是一种含有氢和碳原子的有机化合物。存在三种重要的不饱和烃，即烯烃、炔烃和芳烃。

根据定义：饱和烃是指分子结构中不含有不饱和键的烃类化合物，分为烷烃和环烷烃；不饱和烃为分子结构中含有至少一个不饱和键的烃类化合物，分为(环)烯烃、(环)炔烃、芳香烃。烃中的不饱和键：碳碳双键、碳碳三键

化学是一门贴近人们生活的学科，生活中的很多现象都是用化学试剂制造出来的，很多人不知道饱和溶液与不饱和溶液的区别是什么，其实解决这个问题也不难，它们的区别有：

1、在一定温度下，饱和溶液里可以溶解的某种溶质不能再增加了，而不饱和溶液里还可以继续溶解更多的这种溶质。

2、在不饱和溶液里面继续放入溶质就可以转化成饱和溶液。判断溶液是否饱和状态，可以看溶液是否有固体剩余物；或是取一定量的溶质加入该溶液中搅拌后看溶质是否继续溶解。

饱和键简单来说就是碳的四个电子全部单独与其他原子成键了，不饱和键就是未与其他原子单独成键，可能是有两个或者三个电子同时与同一个原子成键。有不饱和键的烃都可以称为不饱和烃，环烷烃也是饱和烃

简单来说，没有双键或者三键只有单键的烃是饱和烃，有双键或三键的都是不饱和烃。

分子链形成环状的是环烷烃，芳香烃是分子中有芳香性集团的是芳香烃，最常见的是有苯环，但是不限于此。

不是概念粘贴，是帮助理解的简单描述。

饱和脂肪烃就是碳原子间均以饱和单键结合，不含双键和三键的烃。

分子结构中含有不饱和键的脂肪烃。分为烯烃和炔烃。

1、 饱和脂肪烃分子中无不饱的键，碳原子间以碳碳单键相连，通式CnH2n+2。

2、不饱和脂肪烃 分子中有不饱和键存在。按不饱和键的不同又分为： 烯烃(包括单烯烃与二烯烃等)含有碳碳双键和炔烃含有碳碳叁键

脂肪烃是指:分子中只含有碳和氢两种元素，碳原子彼此相连成链，而不形成环的一类化合物。分类方法。 1.饱和脂肪烃分子中无不饱的键，碳原子间以碳碳单键相连，通式CnH2n+2。

2.不饱和脂肪烃分子中有不饱和键存在。按不饱和键的不同又分为： 烯烃(包括单烯烃与二烯烃等)含有碳碳双键 炔烃含有碳碳叁键

饱和键，在分子轨道理论即MO理论上看，就是碳的四个电子全部单独与其他原子成键了。

不饱和键是指有孤对电子而没有另一个原子，就是未与其他原子单独成键，可能是有两个或者三个电子同时与同一个原子成键，比如碳碳双键或参键就是不饱和键，有不饱和键的烃都可以称为不饱和烃，环烷烃也是不饱和烃。

烷烃，即饱和烃，是碳氢化合物下的一种饱和烃，其整体构造大多仅由碳、氢、碳碳单键与碳氢单键所构成，同时也是最简单的一种有机化合物，而其下又可细分出链烷烃与环烷烃。

碳原子跟碳原子都以单键结合成开链状，碳原子剩余的价键全部跟氢原子结合，使每个碳原子的化合价都已充分利用而达到最高，这样的链烃叫做饱和链烃，也叫烷烃，饱和脂肪烃。

也就是说烷烃和饱和烃是相同的。饱和链烃属于烷烃。

烷烃，即饱和烃，是碳氢化合物下的一种饱和烃，其整体构造大多仅由碳、氢、碳碳单键与碳氢单键所构成，同时也是最简单的一种有机化合物。

聚乙烯明显是饱和烃，没有参与合成的乙烯和α-烯烃会在合成后清除掉的。长链上也不会有双键，因为一旦有双键，说明它就没有参与合成，就还是单体状态；一旦参与合成，双键就没了。乙烯有且只可能有一个双键，不像乙炔，打开一个键，还有个双键；不像丁烯，可以同时存在两个双键。

饱和烃也称为烷烃，是开链的饱和链烃，分子中的碳原子都以单键相连，其余的价键都与氢结合而成的化合物。

通式为CnH2n+2，是最简单的一种有机化合物。

烷烃的主要来源是石油和天然气，是重要的化工原料和能源物资。

烷烃的化学性质与其代表物甲烷的相似。

一般比较稳定，在通常情况下跟酸、碱和酸性高锰酸钾等氧化剂都不起反应，也不跟其它物质化合。

但在特定条件下也能发生下列反应：

1、在光照条件下均可与氯气发生取代反应。

2、氧化反应：均可点燃。

扩展资料：饱和烃物理性质1、随着分子里碳原子数的递增，它们在常温下的状态由气态、液态到固态：C1～C4为气态，C5～C16为液态，C17以上为固态；2、它们的沸点和液态时的密度也都逐渐升高和增大。

其原因是烷烃是分子晶体，随着碳原子数增多，相对分子质量逐渐增大，分子间作用力增大，因而熔沸点逐渐升高。

当相对分子质量相同时，烷烃支链越多，熔沸点越低。

注意分析随着碳原子数增加，烷烃分子的含碳量和含氢量的递变规律：含碳量逐渐增大，含氢量逐渐减小。

烃只含碳氢两种元素，其中饱和烃只含有单键（碳碳单键和碳氢单键），而不饱和烃含有碳碳双键或碳碳叁键。烷烃是典型的饱和烃，烯烃、炔烃、芳香烃是典型的不饱和烃。

饱和基团和不饱和基团主要的区别

饱和基团是没有碳元素的酸性化合物，不饱和基团是没有硫元素的碱性化合物

饱和基团一般都是作为氧化剂，不饱和基团一般都是作为还原剂

饱和基团需要避光低温保存，不饱和基团只需要正常密封保存

饱和烃基是只含有碳碳单键的烃基，不饱和烃基，是含有双键或三键的烃基。

烃在化学中被用来指只含碳、氢两种原子的基团，一般指相应的烃失去一个氢原子(H)后剩下的自由基就被称为烃基。

饱和烃中只含有碳碳单键，即两原子间只能共用一对电子。

不饱和烃中有双键的叫“烯”，是氢原子“稀”少的意思；有三键的为“炔”，是氢原子“缺”乏的意思。除此之外还有芳香烃，例如“苯”。不饱和烃的双键和三键不太牢固，比较容易断裂，易发生亲电取代反应和亲电加成反应。