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传说中的模拟电子四大圣经--值得永久珍藏
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模拟电路设计在我看来是微电子领域一个集基础理论知识和创造性于一身的绝学。就像一盘棋，
别人给你准备好了棋子，如何摆出如何摆出千变万化的阵势完全在于你的功力和才能
如今的模电设计已经处在这样的层面，
完备的仿真计算工具将设计者从繁琐的数据运算中解放出来。
只要你有足够的理论基底和创造性，
配以对信号处理的理解和公式推算的驾驭能力，
一个个完美的设计方案就会应运而生。传说，模拟电路设计有四大名著，
Berkeley的P.R.GRAY,
GIT的Phillip E. Allen,
UCLA的Behzad Razavi，
以及toronto的David Johns而其中，
P.R.GRAY的著作堪称该领域的Bible。
耶和华的圣经只有一部，模电的圣经却不止Razavi一本。荷兰3年，模电和rfic算不上精通，不过也算是磕磕绊绊入门了。要说模电的书，那可真是遍地都是，经典的也不在少数。但个人以为，最好的有2本。 第一当然是Razavi的Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 完美的cmos入门教材。Berkeley的Analysis and design of analog integrated circuits很多人都评价要超过Razavi。但是里面bipolar和cmos并行，看得太累，至今也没完整读过。 第二本是最近才发现的，就是Willy Sansen的analog design essentials。觉得这本书的思想很多独辟蹊径，公式推理少，偏重理解，很有启发性，涵盖范围又广。
1.《Analysis and design of analog integrated circuits》, P.R. Gray, P.J. Hurst, Lewis and R.G.Meyer. 4TH. 这是模拟集成电路设计的最经典的教材。这本书侧重于理论分析，但对新手来说内容全面但有些深奥。 强烈建议大家看英文原版，高教社的引文版似乎已经脱销！高教社出版的的中文版（北航翻译）太垃圾了，误导人！
2.《Design of Analog CMOS integrated Circuits》，Behzad Razavi,这本书相对容易入手，而且西安交大陈贵灿翻译的中文版也相当有水平。就我个人对这本书的学习经验来说：需要自己仔细推导书中的结论、例子会有很大收获！这本书精华的最大一部分在于它的习题，做一遍有一遍的收获，受益匪浅（可以在网上搜到英文习题解答）。
3.《Analog Integrated Circuit Design》，D.A.Johns, K.Martin,我没详细看过，听说它的的特色是侧重于系统的介绍，比如Switch Capacitor, A/D, D/A converter, PLL, 其中连续时间滤波器（Gm-C filter) 是其它几本书没有的。
4.《CMOS analog circuit design》 2TH. P.E.Allen, D.R.Holberg. 这本书对于实际的工程内容讲述的很好，对于做工程的人来说有很大的帮助！ 不过，建议大家尽量看英文原版！中文版翻译不是太好！
模拟集成电路的分析与设计
模拟集成电路设计精粹
模拟CMOS集成电路设计
CMOS模拟集成电路设计
[ 本帖最后由 tiankai001 于
21:29 编辑 ]
<p id="rate_308" onmouseover="showTip(this)" tip="&芯币 + 1 枚
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& & 《模拟集成电路的分析与设计（翻译版）（第4版）》介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新《模拟集成电路的分析与设计（翻译版）（第4版）》共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BICMOS集成电路技术，单级放大器与多级放大器，镜像电流源、有源负载和基准源，输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈，反馈放大器的频率呼应和稳定性，第十章至十二章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算广大器。
& & 《模拟集成电路的分析与设计（翻译版）（第4版）》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。
第一章 集成电路放大器件模型
1.2 PN结的耗尽区
1.3 双极型晶体管的大信号特性
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.5 金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.6 MOS晶体管的小信号模型
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.8 MOS晶体客中的弱反型
1.9 晶体管中的衬底电流
a.1.1 有源器件参数列表
第二章 双极型、MOS和BICMOS集成电路技术
2.2 集成电路产生的基本过程
2.3 高压双极型集成电路的制造
2.4 高级双极型集成电路的制造
2.5 双极型模拟集成电路中的放大器件
2.6 双极型集成电路中的无源元件
2.7 基本双极型工艺的改进
2.8 MOS集成电路的制造
2.9 MOS集成电路中的有源器件
2.10 MOS工艺中的无源器件
2.11 BICMOS技术
2.12 异质结双极型晶体管
2.13 互连延迟
2.14 集成电路制造过程的经济意义
2.15 集成电路的封装因素
a.2.1 SPICE模型参数
第三章 单级放大器与多级放大器
3.1 模拟电路近似分析中器件模型的选择
3.2 放大器的二端口模型
3.3 基本单管放大器
3.4 多级放大器
3.5 差分对
a3.1 静态初步和高斯分布
第四 章镜像电流源、有源负载和基准源
4.2 镜像电流源
4.3 有源负载
4.4 电压和电流基准源
a.4.1 考虑镜像电流源的匹配
a.4.2 有源负载差分对的输入失调电压
第五章 输出级
5.2 射随器作为输出级
5.3 源极跟随器作为输出级
5.4 乙类放大器推挽式输出级
5.5 cMOS甲乙类输出级
第六章 单端输出的运算放大器
6.1 运算放大器的应用
6.2 从理想运算放大器到实际运算放大器的偏离
6.3 基本的二级MOS运算放大器
6.4 具有串接放大器的二级MOS运算放大器
6.5 MOS管可伸缩式串接运算放大器
6.6 MOS管折叠串接运算放大器
6.7 MOS管有源串接运算放大器
6.8 双极型运算放大器
6.9 单片集成运算放大器的设计中要考虑的问题
第七章 集成电路的频率响应
7.2 单级放大器
7.3 多级放大器的频率响应
7.4 741运算放大器的频率响应分析
7.5 频率响应和时间响应的关系
第八章 反馈
8.1 理想反馈方程
8.2 增益灵敏度
8.3 负反馈对失真的影响
8.4 反馈结构
8.5 实际组态及负载的影响
8.6 单级反馈
8.7 反馈电路用作稳压器
8.8 使用反馈比的反馈电路分析
8.9 在反馈电路中建立输入和输出端口的模型
第九章 反馈放大器的频率响应和稳定性
9.2 反馈放大器中增益与带宽的关系
9.3 不稳定性和奈奎斯特判据
9.5 根轨迹
a.9.1 反馈比参数术语分析
a.9.2 二次方程根
第十章 非线性模拟电路
10.2 精密整流
10.3 使用双极型晶体管的模拟乘法
10.4 锁相环路（PLL）
10.5 非线性函数综合
第十一章 集成电路的噪声
11.2 噪声源
11.3 集成电路元件的噪声模型
11.4 电路噪声的计算
11.5 等效输入噪声源
11.6 在噪声特性下的反馈
11.7 其他晶体管结构的噪声特性
11.8 运算放大器噪声
11.9 噪声带宽
11.10 噪声因数和噪声温度
第十二章 全差分运算放大器
12.2 全差分放大器的性能
12.3 对称差分放大器的小信号模型
12.4 共模反馈
12.5 共模反馈电路
12.6 全差分运算放大器
12.7 不对称的全差分电路
12.8 共模反馈环路的带宽
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　　本书的最大特点在于全书以幻灯片配以讲义的形式编排，这些内容是作者Sansen教授三十余年模拟电路设计经验的总结。本书配套光盘中包括了全书的1468张幻灯片，提供给授课教师作为课件资源，同时该书也非常适合于双语教学。
　　本书冠名为《模拟集成电路设计精粹》，是因为它包括了模拟集成电路设计者在做深入设计工作时所需要的基本知识，同时它也覆盖了模拟集成电路设计方面的所有主题。该书首先从构成运算放大器的基本单元电路开始，对运算放大器的设计进行了详细分析，其间对最低功耗设计也一直进行了关注，包括了许多低电源电压的设计实例。随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC／DAC和振荡器电路。本书内容均基于作者在大学和世界知名公司大量教学经验的积累，所有的章节都致力于便于读者自学。本书的目的是能够让读者有不同程度的理解和收获，因此所有的部分都从最初的基本内容着手，同时大多数的章节又包含了当前最新发展的电路，尤其从第9章开始，最新的电路内容占了很大部分。
　　作者简介：Willy Sansen 1972年于美国加州大学伯克利分校获得电子学博士学位。1980年始加入比利时鲁汶大学ESAT实验室，成为一名全职教授。1984年始领导ESAT—MICAS实验室进行模拟电路设计研究。他是IEEE的会员，ISSCC-2002会议的执行主席，现在是IEEE固态电路协会的副主席。指导了超过50篇关于通信、消费类电子和传感器应用方面模拟集成电路设计的博士论题，编著和合作编著了13本书籍，在国际期刊和会议上发表了550余篇论文。
　　本书是模拟集成电路设计领域的一本新书，提供了模拟集成电路分析和设计的新观点。作者首先对MOST和BJT两种器件模型进行了分析和比较，然后以此为两条线索，分别介绍了相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析，随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC／DAC和振荡器电路，每一章都结合MOST和BJT两种类型电路进行分析比较。本书一方面侧重于基础知识，对模拟和混合信号集成电路中的许多重要概念以直观形象的语言进行了描述．另一方面又侧重介绍与现代集成电路工艺相关的最新电路的研究方向和热点。本书绝大部分的设计实例均来源于、JSSC和ISSCC论文。
　　Willy Sansen，1972年于美国加州大学伯克利分校获得电子学博士学位。1980年始加入比利时鲁汶大学ESAT实验室，成为一名全职教授。1984年始领导ESATMICAS实验室进行模拟电路设计研究。他是IEEE的会员，ISSCC－2002会议的执行主席，现在是IEEE固态电路协会的副主席。指导了超过50篇关于通信，消费类电子和传感器应用方面模拟集成电路设计的博士论题，编著和合作编著了13本书籍。在国际期刊和会议上发表了550余篇论文。
第1章　MOST与双极型晶体管的比较
第2章　放大器、源极跟随器与共源共栅放大器
第3章　差分电压与电流放大器
第4章　基本晶体管级的噪声性能
第5章　运算放大器的稳定性
第6章　运算放大器的系统性设计
第7章　重要的运算放大器结构
第8章　全差分放大器
第9章&&多级运算放大器的设计
第10章&&电流输入运算放大器
第11章　轨到轨输入与输出放大器
第12章　AB类放大器与驱动放大器
第13章　反馈：电压放大器与跨导放大器
第14章　反馈：跨阻放大器与电流放大器
第15章&&随机性与系统性的失调与CMRR
第16章　带隙与电流基准电路
第17章　开关电容滤波器
第18章　基本晶体管电路的失真
第19章　时序滤波器
第20章&&CMOS ADC与DAC原理
第21章　低功耗∑－AAD转换器
第22章　晶体振荡器设计
第23章　低噪声放大器
第24章　模一数混合集成电路的耦合效应
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& & 《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》从CMOS技术的前沿出发，将作者丰富的实践经验和教学经验相结合，对CMOS模拟电路设计的原理和技术给出了深入和详尽的论述。《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》有两个主要目标：
& & ?将理论与买践完美结合．在内容处理上既不肤浅也不拘泥于细节
& & ?使读者能够应用层次化设计方法进行模拟集成电路设计
& & 第二版中讲到的多数技术和原理已为工业界读者所知，他们提出的问题和需求对《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》的修订起到很大作用，从而使这个版本成为工程技术人员的更有价值的参考书。
& & 《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》的特点是其独特的设计方法，该方法可使读者循序渐进地经历仓0建实际电路的过程，并能够分析复杂的设计问题。《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》详细讨论了容易被忽略的问题，同时有意识地淡化了双极型模拟电路，因CMOS是模拟集成电路设计的主流工艺。
& & 《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》适用于具有一定基础电子学背景知识的本科高年级学生和研究生，这些背景知识包括偏置、建模、电路分析和频率响应《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》提供了一个完整的设计流程图（包括建模、模拟和测试），使读者能够用CMOS技术完成模拟电路的设计
& & 《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》特色
& & 传授专家们在设计方法上的经验
& & 指出初学者在设计中遇到的共性问题
& & 每章提供的例题有助于进一步加深学生对内容的理解
& & 包含大量习题，可作为课后作业或用于测试和考试
& & 增加了开关电容电路的内容
& & 在附录中提供了仿真技术的资料和如下补充内容：
& & ?CMOS模拟电路设计的电路分析的简单回顾
& & ?分析CMOS电路的计算程序
& & ?二阶系统时域和频域关系的慨述
[url=]收起全部[/url]
& & 《CMOS模拟集成电路设计（第2版）》是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术及容易忽略的问题给出了详尽论述，阐述了分层设计的方法。全书共分十章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识，CMOS技术，器件模型及主要模拟电路的原理和设计，包括CMOS基本单元电路（MOS开关、MOS二极管、有源电阻，电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电流源和电压源等），放大器，运算放大器，比较器，开关电容电路，D/A和A/D转换电路。
第1章 绪论
1.1 模拟集成电路设计
1.2 字符、符号和术语
1.3 模拟信号处理
1.4 VLSI混合信号电路设计模拟举例
第2章 CMOS技术
2.1 基本MOS半导体制造工艺
2.3 MOS晶体管
2.4 无源元件
2.5 关于CMOS技术的其他考虑
2.6 集成电路版图
第3章 CMOS器件模型
3.1 简单的MOS大信号模型(SPICE LEVEL 1)
3.2 其他MOS管大信号模型的参数
3.3 MOS管的小信号模型
3.4 计算机仿真模型
3.5 亚阈值电压区MOS模型
3.6 MOS电路的SPICE模拟
第4章 模拟CMOS子电路
4.1 MOS开关
4.2 MOS二极管／有源电阻
4.3 电流漏和电流源
4.4 电流镜
4.5 基准电流和电压
4.6 带隙基准
第5章 CMOS放大器
5.1 反相器
5.2 差分放大器
5.3 共源共栅放大器
5.4 电流放大器
5.5 输出放大器
5.6 高增益放大器结构
第6章 CMOS运算放大器
6.1 CMOS运算放大器设计
6.2 运算放大器的补偿
6.3 两级运算放大器设计
6.4 两级运算放大器的电源抑制比
6.5 共源共栅运算放大器
6.6 运算放大器的仿真和测量
6.7 运算放大器的宏模型
第7章 高性能CMOS运算放大器
7.1 缓冲运算放大器
7.2 高速／高频CMOS运算放大器
7.3 差分输出运算放大器
7.4 微功耗运算放大器
7.5 低噪声运算放大器
7.6 低电压运算放大器
第8章 比较器
8.1 比较器的特性
8.2 两级开环比较器
8.3 其他开环比较器
8.4 开环比较器性能的改进
8.5 离散时间比较器
8.6 高速比较器
第9章 开关电容电路
9.1 开关电容电路
9.2 开关电容放大器
9.3 开关电容积分器
9.4 两相开关电容电路的z域模型
9.5 一阶开关电容电路
9.6 二阶开关电容电路
9.7 开关电容滤波器
第10章 数模和模数转换器
10.1 数模转换器简介及特性
10.2 并行数模转换器
10.3 并行数模转换器分辨率的扩展
10.4 串行数字模拟转换器
10.5 模数转换器简介和特性
10.6 串行模数转换器
10.7 中速模数转换器
10.8 高速模数转换器
10.9 过采样转换器
10.10 小结
附录A 模拟电路设计的电路分析
附录B CMOS器件性能
附录C 二阶系统的时域和频域关系
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　　《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。
　　《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
　　毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成，高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
中文版前言
第1章 模拟电路设计绪论
1.1 研究模拟电路的重要性
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的一般概念
第2章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念
2.2 MOS的I/V特性
2.3 二级效应
2.4 MOS器件模型
第3章 单级放大器
3.1 基本概念
3.2 共源级
3.3 源跟随器
3.4 共栅级
3.5 共源共栅级
3.6 器件模型的选择
第4章 差动放大器
4.1 单端与差动的工作方式
4.2 基本差动对
4.3 共模响应
4.4 MOS为负载的差动对
4.5 吉尔伯特单元
第5章 无源与有源电流镜
5.1 基本电流镜
5.2 共源共栅电源镜
5.3 有源电流镜
第6章 放大器的频率特性
第7章 噪声
第8章 反馈
第9章 运算放大器
第10章 稳定性与频率补偿
第11章 带隙基准
第12章 开关电容电路
第13章 非线性与不匹配
第14章 振荡器
第15章 锁相环
第16章 短沟道效应与器件模型
第17章 CMOS工艺技术
第18章 版图与封装
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好书 谢谢楼主·~回头去淘宝 买回来 一本一本看~！
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楼主辛苦了，找了好久了
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魏成光主编 地球出版社 , 1981
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