电阻R1 D1?

MOS管门极驱动电路:(1)直接驱动

电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。

当MOS管的功率很大时,而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时,加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。

PWM为高电平时,三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时,三极管Q2导通,加速MOS管的关断;电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。

(3)耦合驱动(利用驱动变压器耦合驱动)

MOS管门极驱动电路:当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候,比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管,利用变压器进行耦合驱动如图:

1.解决驱动MOS管浮地的问题;

2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;

3.一个驱动信号可以分成两个驱动信号;

开关电源工作频率已选定为50kHz,用半桥电路。半个周期是10us,每个开关管考虑死区时间最多导通9us。

9us的导通时间,上升或下降的时间无论如何不能超过1us,否则处于线性区的时间占比例太大,效率会比较低。如果开关电源工作频率更高,上升下降的时间还要减少,换句话说,需要更快一些,可能只允许0.2us。

Wavefoum曲线。该曲线先上升后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(米勒效应)。

这是峰值,仅在管子开通和关断的各0.2us里有电流,其它时间几乎没有电流,平均值很小。但不能输出这个峰值,管子开通就会变慢。

这是仿真MOSFET在实际应用的实验简化图,更改R1可以更改MOSFET的驱动,上升下降速度。

左图R1为100R的栅极驱动电压和漏极电流波形,栅极电压tf= 1.223uS,tr=863.2nS。如图是与之相对应的漏源电压和漏极电流波形,漏极电流tf=101.5nS,导通时间t=137uS。

右图是与之相对应的漏源电压和漏极电流波形,漏极电流tf=72.3nS,导通时间t=137uS。

改变R1的大小,能改变驱动上升与下降时间,R1越小,栅极驱动电流越大,上升下降都变陡;反之,则越斜。

R1的改变对MOSFET的漏极电流下降时间和漏源电压上升时间影响较大。

在环境温度为30℃条件下,老化到MOSFET温度稳定,R1为100R时壳温86℃,R1为10R时为76℃,由此表明,漏极电流下降时间对开关损耗影响较大,R1=10R时开关损耗减少。

在R1为10R时,感应的电压较高,EMI也会稍大。

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一、下图为负载电流限流电路,请分析工作原理,图中V5起什么作用?

这是从网上看到的一个求助帖。其电路图如下:

图中的TA为电流互感器,将负载电流缩小N倍(N为互感器初次级线圈匝比)变为mA级电流,流经RP与R1电阻形成采样电压(交流),调节RP可改变采样输出电压的大小。

V6为半波整流二极管,将采样电压整流为半波直流电,C3为滤波电容,使整流电流平稳。该整流电压与负载电流成正比,即负载电流增加,其整流电压也增大。

VT1为带电流负反馈的放大器,由于集电极电流≈发射极电流,如取R4≤R5,在基极输入电压≤1/2电源电压时,VT1管处于放大状态(即集电极与发射极间的电压Uce>0),R4又为VT2管的基极偏置电阻,在VT1管处于放大状态且Uce>VT2的发射结电压时,会使VT2饱和导通,VT2D的饱和导通,使其集电极电压=VT1D的发射极电压,该电压小于稳压管V7的稳压值,故使V7不导通,即使VT3管截止,继电器KA处于断电状态。

在负载电流小于限定的电流值时。调节RP使VT1的基极对地电压低于1/2电源电压,由上面分析可知,VT1处于放大状态,使VT2饱和导通,使VT3截止,继电器KA处于断电状态。当负载电流增大到限定电流时,使VT1的基极对地电压高于1/2电源电压,使VT1处于饱和导通状态,即VT1的Vce=0,使VT2截止,由于电源电压高于稳压管V7的稳压值,这样R6、V7将注入给VT3基极足够大的基极电流使VT3饱和导通,继电器KA得电吸合。KA的动作即发出越限报警。

V5管的作用:V5管反并接在继电器线圈二端,起续流作用,继电器得电吸合时,V5反接处于截止状态,当继电器断电瞬间,线圈将释放电流而硬性通过晶体管VT3(VT3已截止),如未加V5,会产生很高的反电压,将VT3击穿,加上V5,会迅速将线圈电流释放,不会形成过电压,从而保护晶体管VT3,使它不易损坏。

二、0-78MV怎么转换成标准的0-20MA

下面的电路图,可实现将0~78mV转换为0~20mA的电路图,所用元件很少(一个358双运发,2只晶体管和几个电阻)只需几元钱。

该电路的特点为:U1A的3角对地电压(即Ui)≡G1管的发射极对地电压,而G1的集电极R2的电压≡G2管的发射极R3的电压。G1为电流负反馈放大器,放大倍数=100,在输入电压0~78mV变化时,R2的电压为0~7.8V变化,即R2的电压= R1的电压的100倍。

1.当Ui=0V时,其G1管的发射极对地电压=0V,即R1的电压=0V。发射极电流=0其G1管的集电极电流也=0,故R2的电压也=0V,G2的发射极电压≡G1的集电极电压,故此时R3 的电压=0V,其电流也=0,此时G2截止对外输出电流=0。

2.当Ui=0V开始增加时,其G1管的发射极对地电压也由=0开始增加,即R1的电压由0开始增加。由于G1管的集电极电流与发射极电流相等,又100×R1=R2,故R2的电压也由0增加,G2的发射极电压≡G1的集电极电压,故此时R3 的电压也由0开始增加,使G2管集电极输出电流也由0开始增加。

3.当Ui=78mV时,其G1管的发射极对地电压=78mV,即R1的电压=78mV。由于G1管的集电极电流与发射极电流相等,又R2=100×R1,故R2的电压=78mV×100=7.8V,G2的发射极电压≡G1的集电极电压,故此时R3 的电压=7.8V,此时G2的发射极(也是集电极)电流=7.8 V÷ 390 Ω = 20mA。

三、对求助帖:“单按钮启动 停止电磁阀只用2个中间继电器可否实现?”的电路设计及动作原理解析

这一求助帖还是颇有难度的,虽说实用性不大,但可锻炼我们硬件的设计能力。这里我画出二个电路方案,供大家分析参考:

1、图一电路的组成:J0、J1为JRX-13F型小型直流继电器,工作电压:J0为18V,J1为24V.J0与电解电容C2、电阻R1组成通电与断电皆延时的定时器,通、断延时时间皆≥2秒。按钮K含有二个触点:K_1为常开触点,K_2为常闭触点。D1为电磁阀线圈。

2、要求:每次按钮的按下时间最长不得大于2秒。

3、分析J0、R1、C2组成的通电与断电皆延时的定时器原理:

J0 为JRX-13F型直流继电器,工作电压=18V,线圈内阻=700Ω,串接R1(300Ω)电阻,加在24V电压,其线圈电压=17V,J0可吸合。J0又并联C2电解电容,见图二:当开关K闭合时,由于C2的电压不能突变,其电压由0逐渐增加,J0与C2并联,使J0线圈的电流也由0 逐渐增加,当C2电压上升到17V时,其电压达到J0的吸合电压,J0才吸和动作,可见开关K的闭合,由于C2的作用,J0不能立即吸合,需延时一段时间,J0才能吸合,即J0成为通电延时定时器。再看图三,J0吸合后,将K断开,虽然此时外电源已断,由于C2的电压不能突变,它将通过线圈电阻放电,随着放电,线圈电压逐渐变小,当电压低于J0的释放电压时,J0才断开,这样,从K断开到J0断开也延时一段时间,故J0又为断电延时定时器。

4、图一电路动作原理:接通电源,J0、J1皆处于断电状态。按一下按钮K,K_1闭合,K_2断开,J0支路通导,由于J0通电后要延时2秒才能闭合,故只有J1得电闭合且自保。通电2秒后J0吸合,由于此时按钮K早已回原位,故J0常闭触点虽断开,J1仍保持吸合状态。此时J1与 J0皆处于闭合状态。J1触点闭合使电磁阀D1得电启动。

当再按一下按钮K时,由于此时J0已吸合,其常闭触点已断开,K_2的断开,使J1立刻失电断开。虽然J1的常开触点断开使J0支路断开,由于C2的作用(C2放电给J0线圈),使J0仍保持吸合(即断电延时2秒),当按钮抬起后又延时一段时间J0才断开。此时J0与J1都处于断电状态,J1触点的断开使电磁阀D1失电停止。从而实现用一个按钮二个继电器控制电磁阀的启停。

该电路不足之处就是按钮按下的时间不能过长(即不能大于J0的通电与断电的延时时间)。

该图是在图一的基础上,稍加改动而成的,其特点为:按钮按下时间不受限制(可随意长),从而克服了图一对按钮按下时间有要求的缺点。电路仍是由一个按钮、二个继电器,及一个电阻一个电容组成电路动作原理:开机J0与J1继电器皆处于断电状态,电磁阀D1 停止。

1.按下按钮K,K_1的闭合,由于此时J0常开触点处于断开,故使J0不能得电。而J0的常闭触点闭合,使J1得电吸合且自保。J1的另一常开触点闭合,使电磁阀D1得电启动,由于K_3触点已断开,故使J0仍然处于断电状态,只要按钮不抬起,这个状态将保持下变:即J1得电吸合,J0处于断开状态。

2.当K抬起时,K_3的闭合,使J0得电,但由于C2的原电压=0且不能突变,它与J0线圈并联,故J0不能立即吸合,只有当C2的电压充电到J0的吸合电压时,J0才能吸合,由于此时按钮早已复位(即K_2已闭合),故J0的常闭触点断开,不会影响J1的通电吸合。此时电路J1与J0皆处于通电吸合状态。

3.当再按按钮K时,由于J0已吸合,其常闭触点已断开,K_2的断开使J1失电而断开,由于K_1的闭合及J0常开触点的闭合,使J0仍保持通电状态,此时J1的断开,使D1失电,电磁阀停。只要按钮不抬起,电路始终保持这种状态(即J1断开,J0闭合)。

4.当按钮抬起时,由于J1常开触点已断开,K_1的断开要前于K_2的闭合,故J1仍处于断电状态,而J1常开触点断开,与K_1触电的断开,使J0断电,由于C2的作用,J0不马上断开,要延时一段时间,当其电压低于释放电压时,J0才能断开,此时电路,J0与J1 皆处于断电状态。即开机的初始状态,如再按按钮将重复以上动作。

四、用电子电路实现的用一个点动按钮可使电磁阀启动停止的电路设计

下面是不需继电器只用几个电子元件构成的“用一个按钮控制电磁阀的启停电路”的最简单电路图:一片4013集成块(1.5元 / 块)、一只BD137功率管( 1元 /只)2只电阻和一直二极管(1~2角钱),总价格不到5元钱。

在分析电路原理之前,先介绍一下4013双D触发器的工作原理:

4013为COS集成电路,内含2个D触发器(本图只用一个),D触发器有6个引脚:D为数据输入点,R、S为复位与置位输入点(高电平有效)Q与Q为正负输出端,CLK为控制输入点(正跳沿触发有效)。当CLK无控制输入时,D触发器将保持原电路状态不变,当CLK输入一控制信号时,其正跳沿触发将会改变D触发器的输出状态,其原则为:如数据点D=0(低电位),CLK的正跳沿触发将使Q 点输出=0(低电位),Q点输出=1(高电位)。如数据点D=1(高电位),CLK的正跳沿触发将使Q 点输出=1(高电位),Q点输出=0(低电位)。如CLK无再有正跳沿输入,它将保持前次触发所形成的输出状态不变。

如D触发器U1A的Q=1(高电位)、Q=0(低电位),由于Q点与D点线连接,故D=0,BD137此时的基极电压=0V,故BD137截止,电磁阀处于断电状态。如此时按一下按钮,使CLK点电位突然由0V上跳为+12V,这由0到1的突变对U1A触发有效,由于此时D=0,故使Q点有原来的1下跳为0,而Q点由原来的0,上跳为1,D点也随之为 1,此时R2上端电压=12V,故使G1管饱和导通,即电磁阀得电启动。在按钮按下未抬起时间里 虽然CLK点=+12V,由于没有再正突跳变化,故D触发器保持状态不变。按钮抬起时CLK由12V下跳为0,由于这是负跳变,故对D触发器也不起作用。

当再按一下按钮K时,CLK又由0上跳12V,故触发有效。此时D=1,使Q点由0变1,而Q点由1下跳为0,D也随之为0,使G1管由导通变截止,电磁阀失电而停止。再按扭未抬起与抬起时,D触发器始终保持不变。再按按钮将重复上述动作。

D1二极管反并接与电磁阀线圈二端,其断电续流作用,因为电磁阀线圈是感性原件,当其断电时,仍保持断电前的电流强行通过G1,此时G1已截止,必然会形成很高的反电压,使G1击穿,加上D1二极管,电磁阀导通时由于二极管反接处于截止状态,当电磁阀断电时,线圈的释放电流将会通过二级管迅速放电,不会产生高的冲击电压,确保G1不会损坏。

五、求助:用时间继电器和中间继电器在注塑机上加1组吹气动作,要求用开模动作信号启动,然后可以延迟若干时间后(1分钟可调),再做吹气动作若干时间(1分钟可调)之后停止,希望用最少的时间继电器和中间继电器。请画出原理图纸。

按求助帖的要求,设计如下电路图:

图中的J0为小型直流继电器,JI与J2为通电延时定时器,动作原理:按钮K按下的时间为开模时间,J1延时时间为K闭合到吹气开始的间隔时间,J2的延时时间为吹气时间。J1+J2时间和<开模时间。

K开关启动,使J0得电且自保,同时使定时器J1得电开始延时,延时时间到,J1动作,其常开触点闭合,开始吹气输出,同时J1的另一触点闭合使J2得电且开始延时,延时时间到,J2的一个常闭触点断开,使吹气输出停止,另一个常闭触点断开,使J0失电断开,J0的常开触点虽然断开,但由于此时开关K仍处于闭合状态,故使J1、J2仍通电且保持吸合状态,直到K开关断开,J1、J2才失电而断开。

六、网上有人曾求助:“4~20ma电流源能否实现线性衰减”

为此做了以下电路设计及电路工作原理说明,供大家分析参考,希望能对搞电路设计的初学者有所帮助。电路图如下图一:

图一 带自动线性衰减的4~20mA电流源

该电路的输入信号为正常的4~20mA电流源,流经25Ω标准电阻R0,通过输出口Iot流入沿途导线电阻Rx及负载电阻Re,直至到地(GND)。4~20mA电流在R0上产生0.1~0.5V电压降(设为Uo),在负载电阻Re上产生2~10V电压降(设为Ue)。在导线电阻电压降Ux,图中A点对地电压Ua=Uo+Ux+Ue。B点对地电压Ub=Ux+Ue,B点比A点电压低Uo。

运放器U1B与晶体管G1构成电压跟随器,故C点电压Uc≡A点电压Ua, 运放器U1A与晶体管G2构成电压跟随器,故D点电压Ud≡B点电压Ub, ,由此可知:R0的电压≡R1的电压。

运放器U2A与晶体管G3构成电压跟随器,故F点对-15V的电压Uf≡E点对-15V的电压Ue,由此可知:R2的电压≡R3的电压。由于R1=R2(先不考虑触点J0与电容C1的存在)而R1与R2的电流相等(晶体管的集电极电流与发射极电流相等)又可知:R1的电压≡R2的电压。故可推出:R3的电压≡R0的电压,由于R0=R3,故可知R3的电流≡R0的电流。

R0的电流实为4~20mA即外输入电流(I1),而R3的电流又为G3管的发射极电流,故G3管的集电极电流(I2)与外输入电流(I1)相等。由图推知:电流I2与I1数值相等。但电流方向相反:I1从输出点Iot流出,I2从输出点Iot流入,故输出电流(即I1与I2的和电流)I=0。

上面推出的结论是在没有触点J0与电容C1存在的情况下得出的结论,加上这二个元件,电路的输出状态就不是这样了:

1.如触点J0始终为闭合状态,使E点对-15V电压差=0,即F点对-15V电压差=0,使R3的电流=0,即I2=0,此时输出电流I= I1,和正常的电流源一样,其输出电流为4~20mA。

2.如触点J0闭合,输出电流为10mA(假设),如从t1时刻将J0由闭合变断开, C1被充电,其电压将由0线性增加,使F点对-15V的电压差由0 开始增加,R3的电流也随之由0开始增加,即I2由0开始增加,输出电流将由10mA开始线性下降,当C1的电压=R1的电压时,充电结束,此时的I2=10mA,故输出电流I=0。

由上述分析可知:在开关触点J0闭合时,I2≡0,输出电流I=I1(外输入电流:4~20mA)。当开关触点J0由闭合变断开后时,I2将由0线性增加,直至I2值=I1电流值停止增长。其输出电流I将由I1值线性下降,直至减小为0,从而实现电流源能线性衰减的控制要求。

本文选自工控论坛,由机械工业出版社E视界整理发布,如有不妥之处请给于指正,小编深表感谢!

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光电成像原理及技术 课后题答案(北理工)


第一章 5.光学成像系统与光电成像系统的成像过程各有什么特点?在光电成像系统性能评价方面通常从哪几方面考虑? 答:a、两者都有光学元件并且其目的都是成像。而区别是光电成像系统中多了光电装换器。 b、灵敏度的限制,夜间无照明时人的视觉能力很差; 分辨力的限制,没有足够的视角和对比度就难以辨认; 时间上的限制,变化过去的影像无法存留在视觉上; 空间上的限制,隔开的空间人眼将无法观察; 光谱上的限制,人眼只对电磁波谱中很窄的可见光区感兴趣。 6.反映光电成像系统光电转换能力的参数有哪些?表达形式有哪些? 答:转换系数:输入物理量与输出物理量之间的依从关系。 在直视型光电成像器件用于增强可见光图像时,被定义为电镀增益G1, 光电灵敏度: 或者: 8.怎样评价光电成像系统的光学性能?有哪些方法和描述方式? 答,利用分辨力和光学传递函数来描述。 分辨力是以人眼作为接收器所判定的极限分辨力。通常用光电成像系统在一定距离内能够分辨的等宽黑白条纹来表示。 光学传递函数:输出图像频谱与输入图像频谱之比的函数。对于具有线性及时间、空间不变性成像条件的光电成像过程,完全可以用光学传递函数来定量描述其成像特性。 第二章 6.影响光电成像系统分辨景物细节的主要因素有哪些? 答:景物细节的辐射亮度(或单位面积的辐射强度); 景物细节对光电成像系统接受孔径的张角; 景物细节与背景之间的辐射对比度。 第三章 13.根据物体的辐射发射率可见物体分为哪几种类型? 答:根据辐射发射率的不同一般将辐射体分为三类: 黑体,=1; 灰体,<1,与波长无关; 选择体,<1且随波长和温度而变化。 14.试简述黑体辐射的几个定律,并讨论其物理意义。 答:普朗克公式: 普朗克公式描述了黑体辐射的光谱分布规律,是黑体理论的基础。 斯蒂芬-波尔滋蔓公式: 表明黑体在单位面积上单位时间内辐射的总能量与黑体温度T的四次方成正比。 维恩位移定律: 他表示当黑体的温度升高时,其光谱辐射的峰值波长向短波方向移动。 最大辐射定律: 一定温度下,黑体最大辐射出射度与温度的五次方成正比。 第五章 像管的成像包括哪些物理过程?其相应的理论或实验依据是什么? 像管的成像过程包括3个过程 将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像转换成电子图像 使电子图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增 将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像 A过程:外广电效应、斯托列夫定律和爱因斯坦定律 B过程:利用的是电子在静电场或电磁复合场中运动规律来获得能量增强;或者利用微通道板中二次电子发射来增加电子流密度来进行图像增强 C过程:利用的是荧光屏上的发光材料可以将光电子动能转换成光能来显示光学图像 像管是怎么分代的?各代的技术改进特点是什么? (1)A、零代微光像增强器技术 B、一代级联式像增强器技术 C、采用微通道板(MCP)的二代像增强器 D、采用负电子亲和势光阴极的三代像增强器 E、超二代像增强器 F、超三代像增强器 G、第四代像增强器 (2)①一代和零代的区别在于一代像增强其采用了光学纤维面板将多级耦合起来,形成级联式的像增强器,一般为得到正像,耦合级数多取奇数,通常微三级 ②二代和一代的根本区别在于:它不是采用多级级联实现光电子图像倍增,而是采用在单级像增强器中设置MCP来实现光电子图像倍增。 ③三代和二代近贴式像管类似,其根本区别在于光阴极,但对MCP也提出了更高的性能要求。二代采用的是表面具有正电子亲和势的多晶薄膜结构的多碱光阴极,三代采用的则是负电子亲和势光阴极,因此三代具有高增益、低噪声的有点。 11、光电发射为什么会存在极限电流密度?试分析并导出连续工作条件下和脉冲工作条件下的极限电流密度表达式。 (1)在工作状态下,像管维持光电发射要依赖于光阴极的真空界面有向内的电场场强,这一电场是由电子光学系统提供的。光阴极的光电发射将产生空间电荷,此空间电荷所形成的附加电场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电发射电流密度的增大,空间电荷的电场会增加到足以抵消电子光学系统所提供的电场。如果忽略光电子的初速度,当光阴极画的法向场强为零时,光电发射就要受到限制,这时像管的光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射的极限电流密度。 (2)见P159~P160 18、什么样的透镜叫短透镜?导出短透镜的焦距公式并分析其成像性质。 答:(1)把对电子起有效作用的场——透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内,称此空间位透镜空间,在此空间内,电子轨迹在场的作用下是连续变化的,而物与像则位于透镜场外,透

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