好客书店碳化硅制品、碳化硅微粉生产工艺、碳化硅陶瓷生产技术资料
开&&&&&&本：页&&&&&&数：字&&&&&&数：I&&S&&B&&N：售&&&&&&价：280.00元 品&&&&&&相：运&&&&&&费：卖家承担运费上书时间：购买数量：（库存19件）微信购买商品分类：关 键 字：详细描述：1、高比表面积碳化硅的合成及在CO氧化反应中应用　　以蔗糖为碳源，正硅酸乙酯(TEOS)为硅源，草酸为TEOS水解的催化剂采用溶胶凝胶法制备碳化硅前体，通过惰性气氛和动力真空的碳热还原方法合成一系列高比表面积碳化硅。用XRD、IR、SEM、TEM和低温N2吸附-脱附等手段对合成的样品进行表征，筛选出适合于氨合成反应的高比表面积碳化硅作为催化剂载体，制备一系列钌催化剂，并在一定的温度和压力条件下考察了制备的钌催化剂在氨合成反应中的活性。取得了以下有意义的研究结果：1.在碳化硅前驱体的制备中发现：当水/TEOS物质的量比为7.5或加入镍盐催化剂均能减少凝胶形成所需的时间。2.惰性气氛下......................共76页2、碳化硅电热材料制备及结构与性能　　以颗粒紧密理论为基础，将高性能的水溶性塑化剂复配使用，利用硬塑挤出成型工艺和重结晶烧结法制备出密度高达2.58&g.cm的碳化硅电热元件。讨论了颗粒级配和塑化剂对碳化硅电热元件硬塑挤出成型的影响，并对最终制品的结构与性能进行了分析。&实验结果表明，在碳化硅电热材料的硬塑挤出成型中，挤出压力主要用来克服颗粒间以及颗粒与筒壁之间的摩擦阻力。高性能的塑化剂溶液能与碳化硅陶瓷颗粒表面产生较好的界面结合，其溶液也具有较高的......................共59页3、凝胶注模成型反应烧结碳化硅的制备工艺　　通过对低粘度、高固含量碳化硅/炭黑浆料的制备技术以及凝胶注模成型工艺参数的研究，制备了结构均匀、致密度高的反应烧结碳化硅坯体，并对坯体和烧结试样的力学性能及影响因素进行了测试分析。同时，对凝胶注模成型工艺制备的短切碳纤维增强反应烧结碳化硅复合材料的工艺和性能进行了研究和探讨。研究了碳化硅/炭黑料浆制备过程中碳化硅颗粒级配、球磨时间、分散剂种类及用量、料浆pH值、有机单体含量以及固相含量等因素对料浆粘度的影响，制备出了固相含量高达60vol﹪，流变性能够满足凝胶注模工艺要求的碳化硅/炭黑料浆。研究了浆料抽真空时间对坯体......................共98页4、碳化硅碳化钛纳米材料制备采用高温裂解过渡金属有机化合物及还原法制备出了：β-SiC纳米线和TiC纳米空心球。通过对实验结果的分析并结合相关的文献报道，分别对它们的生长机理进行了探讨。此外，还测试了TiC空心球的比表面积(78.30m2/g)及球壁的孔径尺寸(0.04&cm3/g)。论文主要内容归纳如下：&1.500℃条件下利用金属钠在高压釜中分别还原四氯化硅和高温裂解过渡金属有机化合物二茂铁制备出了SiC材料。X-射线粉末衍射显示制得的样品为面心立方相的碳化硅(β-SiC)，经......................共80页5、反应烧结SiC与复合材料合成与制备　　一种高性能坯体成型技术—凝胶注模法成型PCRBSC的工艺及性能。同时为了改善RBSC陶瓷材料固有的脆性，将碳化硅晶须(SiCw)引入RBSC体系，提出了一种制备致密化SiCw/SiC复合材料的思路并做了初步的探索。&凝胶注模成型是制备高性能坯体的一种有效方法，获得高固相体积含量(≥50vol％)、低粘度的料浆是成型的关键所在，但炭黑粒子由于粒径很小(30nm左右)，表面积很大，所以易团聚而难以分散均匀。且料浆固相含量过高时，成型的坯体碳密度也会......................共50页6、纳米多孔碳化硅烧结制备工艺　　分别以微米和纳米碳化硅粉末为原料，采用粉末冶金的烧结工艺，成功的制备了纳米多孔碳化硅，并分析了多孔碳化硅的结构，同时测试了其光致发光谱。多孔碳化硅的制备过程包括原始粉末的净化、压坯的压制、烧结过程和烧结样品的后续处理。对于微米粉末，压坯在750MPa压力下压制成型，烧结温度为℃，烧结时间为4～7h；而对于纳米碳化硅粉末，压坯在1000MPa压力下压制成型，烧结温度为1600℃，烧结时间为4～5h，所有压坯都在1.0atm的......................共58页7、多热源熔透法合成碳化硅研究　　目前，大规模工业生产SiC的方法有Acheson法和多热源法两种。Acheson法经过多年的应用已经很成熟，但生产的产品能耗高、产量低、质量差，生产成本居高不下。现在应用比较广泛的多热源合成SiC技术具有温度梯度小，热场均匀，SiC生成区域宽，合成的产品能耗低、产量高的特点。但是如果工艺控制不严格，产品结合部易石墨化、晶体缺陷多，影响了产品质量。多热源熔透法合成SiC经过实验室试验和工业化试验已经很成熟，在新疆得到了广泛推广。它在反应前期由多个热源发热，在反应后期由一个热......................共46页8、碳化硅低温烧结工艺与性能　　研究了低温烧结碳化硅的工艺原理及工艺过程;从液相结机制和反应烧结机制入手,并辅助以纳米氮化硅粉的加入,希望能找到一种低温烧结途径,并使材料达到良好的使用要求.经过分析和实验发现,在1600℃保温2小时,以AlO、YO为添加剂而进行的液相烧对机制,因烧结温度过低无法形成液相而导致失败.但以加篱一喧量硅粉,通入氮气,在1400℃保温2小时,使之生成氮化硅结合碳化硅窑具材料的反应烧结工艺&取得了良好的效果.在反应中加入少量的纳米氮化硅粉作为稀释剂,使硅米与氮气反就生成的氮化硅可以......................共65页9、碳熱還原燒結碳化矽陶瓷　　使用粒徑1&~&10&μm與40&~&60&μm的α-SiC粉末依不同的比例加水混合來獲得適合注漿成型條件。以適合注漿成型條件加入0%、1%、2%、5%之碳化硼的碳化矽作為胚體並覆上二氧化矽，分別在不同溫度下於空氣中與CO/CO2氛圍中進行燒結，以X射線繞射儀和核磁共振儀分析是否生成β相碳化矽，判斷是否發生碳熱還原反應，並比較其燒結體之體密度、結構與電阻率等特性。由實驗結果得知在未加入塑化成型劑時，適合成型比例為粒徑1~10&μm、40~60μm與水以重量比3:3:4混合製成漿料，所得之胚體較不易粉碎......................共76页10、一种碳化硅颗粒填充铸型尼龙复合材料制备方法11、利用河沙制备赛隆结合碳化硅陶瓷粉体方法12、一种高温碳化硅半导体材料制造装置13、一种高强度碳化硅泡沫陶瓷与其制备方法14、纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料方法15、利用河沙制备碳化硅晶须方法16、一种碳化硅生产方法17、碳化硅生产方法18、碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料制造方法19、用作电源开关碳化硅N沟场效应晶体管与其制造方法20、碳化硅横向场效应晶体管和制造方法与其使用21、高温应用碳化硅场效应晶体管与其使用和制造方法22、钒不占主导半绝缘碳化硅23、采用碳化硅进行红外辐射检测24、在沿&1100&方向切割基片上生长碳化硅外延层25、降低磷离子注入（0001）取向4H-碳化硅电阻率方法26、低微管100mm碳化硅晶片27、100毫米高纯半绝缘单晶碳化硅晶片28、低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片29、低翘曲度/弯曲度和TTV75毫米碳化硅晶片30、100毫米高纯半绝缘单晶碳化硅晶片31、碳化硅晶体生长方法和装置32、采用如碳化硅所制成电加热元件33、在碳化硅中制造双极结晶体管方法和得到器件34、一种制备碳化硅&碳，碳化硼&碳功能梯度材料方法35、块状碳化硅单晶生长制备方法36、在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜方法37、碳化硅电热元件烧成碳管炉38、碳化硅电热元件与生产工艺39、一种制备碳化硅纤维或织物方法40、碳化硅反射镜坯体成型工艺方法与胀缩模具41、一种亚微米级碳化硅生产方法42、一种制备碳化硅多孔陶瓷管方法43、一种纳米碳化硅材料制备方法44、一种聚合物基碳化硅颗粒增强复合材料与生产方法45、一种碳化硅片状晶体制备方法46、变功率送电冶炼碳化硅方法47、冶炼碳化硅多炉芯炉与其生产碳化硅方法48、碳化硅材质热处理用工具49、一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料原位复合方法50、碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管方法51、用于在碳化硅中形成通孔方法以与所获得器件和电路52、利用NO在碳化硅层上制造氧化物层方法53、碳化硅肖特基器件外延边端与制造组合该边端碳化硅器件方法54、短沟道碳化硅功率MOSFETS与其制造方法55、用于阴极射线管应用碳化硅涂层56、用煤矸石制备β－赛隆结合碳化硅复相粉体方法57、制造具有碳化硅膜半导体器件方法58、碳化硅质材料热处理用夹具59、一种对钛碳化硅材料铝－稀土共渗方法60、一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层方法61、含反应合成碳硼铝化合物相碳化硅陶瓷与其液相烧结法62、制造晶片用碳化硅舟切割制造方法63、在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构方法64、碳纤维表面涂复碳化硅工艺和装置65、一种冶炼碳化硅方法与其装置66、单晶碳化硅薄膜制造方法与制造设备67、一种碳化硅介孔材料与其制备方法68、一种高比表面积碳化硅与其制备方法69、一种表面涂层碳化硅发热体70、一种碳化硅陶瓷材料压注成型工艺71、表面涂层碳化硅发热体72、一种含有碳化硅远红外涂料73、铝碳化硅复合材料与其构件制备方法74、耐高温多晶碳化硅纤维制备方法75、皮芯双组分纤维法制备连续碳化硅纤维生产工艺76、用于旋转喷头碳化硅耐火陶瓷材料77、以碳化硅为基板发光元件78、等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体工艺79、碳化硅冶炼中回炉料碳硅比测定方法80、碳化硅冶炼温度测控技术81、碳化硅表面改性方法82、制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)方法83、利用在氢气环境中退火在碳化硅层上制备氧化物层方法84、碳化硅等离子体刻蚀85、用于高击穿电压半导体器件高阻碳化硅衬底86、不具有钒控制半绝缘碳化硅87、用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率方法88、碳化硅肖特基势垒二极管与其制作方法89、碳化硅过滤器与其制备方法90、德尔塔掺杂碳化硅金属半导体场效应晶体管与其制造方法91、高电阻率碳化硅单晶体与制造方法92、大面积碳化硅器件与其制造方法93、大面积碳化硅器件与其制造方法94、埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底制作方法和制作装置95、碳化硅电加热元件96、一种碳化硅型壳其制备与在定向凝固中应用97、一种改进碳化硅薄板98、抗氧化碳化硅浇注料99、一种碳化硅晶须和微粉工业制备方法100、铜包裹纳米碳化硅颗粒制备纳米复合粉体颗粒方法101、以酵母粉为造孔剂碳化硅多孔陶瓷制备方法102、一种含碳化硅和聚四氟乙烯镍磷基复合涂层103、一种碳化硅纳米棒制备方法104、一种冶炼碳化硅方法与其装置105、碳化硅沟槽式金氧半电晶体106、掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料方法107、碳化硅／铜金属陶瓷高温电接触复合材料制备方法108、以Al为助剂原位热压反应制备单相致密钛碳化硅块体材料方法109、微铸碳化硅纳米压印模110、一种高强度致密泡沫碳化硅陶瓷材料与其制备方法111、一种高强度致密碳化硅陶瓷球与其制备方法112、一种制备碳纤维增强碳化硅复合材料装置与工艺113、一种制备碳化硅方法114、碳化硅半导体器件115、氮化硅和碳化硅一维纳米结构与其制备方法116、磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺117、处理碳化硅衬底改善外延沉积方法与形成结构和器件118、生产低氧化硅/二氧化硅和&或碳化硅平面平行结构方法,采用这些方法获得平面平行结构和它们应用119、向接收基板转移碳化硅薄层优化方法120、气体驱动行星旋转设备与用于形成碳化硅层方法121、碳化硅和无粘结剂碳复合体与其制造方法122、带电子电路碳化硅微机电器件123、具有碳化硅衬底发光二极管124、在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率方法125、其滑动面或密封面具有最佳摩擦性碳化硅烧结体126、具有氧化层碳化硅陶瓷部件127、从含碳化硅炉渣中提取碳化硅方法128、以碳化硅为辅助反应介质聚乳酸微波辐射合成方法129、金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器130、一种碳化硅晶体生长装置131、物理气相传输生长碳化硅单晶方法与其装置132、制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅方法133、碳化硅浆料制备方法134、浇注粗晶粒硅化碳化硅制品方法与设备135、碳化硅功率MOS场效应晶体管与制造方法136、一种简单碳&碳化硅复合材料制造方法137、相对于掺杂碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃方法138、用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料方法139、一种碳化硅辐射接枝表面改性方法140、一种碳化硅表面改性方法141、一种制备碳化硅纳米纤维方法142、碳化硅刚玉浇注料143、黑色碳化硅冶炼降低单位耗料工艺144、一种向缸套铬层内部挤入碳化硅方法145、一种碳化硅发热元件冷端部制造方法146、酚醛树脂作为结合剂碳化硅陶瓷常温挤压成形方法147、一种一次成型碳化硅发热元件制造方法148、一种碳化硅发热元件发热部制备工艺149、利用碳化稻壳制造碳化硅方法150、铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖与其制备方法151、铝铬碳化硅耐火砖152、湿法烟气脱硫装置中碳化硅雾化喷嘴制造方法153、在硅衬底上生长碳化硅&氮化镓材料方法154、在用于半导体器件硅或碳化硅上形成厚氧化物工艺155、高韧性/高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法156、低温烧结高耐火度网眼碳化硅陶瓷过滤器与制备方法157、短纤维增强碳化硅基复合材料制备方法158、铝-碳化硅-碳质耐火材料159、一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置160、以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体方法与组合物161、一种氮化硅&碳化硅多孔陶瓷制备方法162、基于光固化原型热解碳化硅陶瓷复合材料成型工艺方法163、碳化硅-氧化物层叠体与其制造方法以与半导体装置164、碳纤维增强碳化硅复合材料刹车盘一种有效连接方法165、带有结型场效应晶体管碳化硅半导体器件与其制造方法166、稻草预处理和预处理稻草生产碳化硅与其复合材料方法167、包覆钡铁氧体薄膜碳化硅电磁吸波材料与其制备工艺168、碳化硅器件边缘环形端接169、用于碳化硅包含主要由镍组成层反射式欧姆接触与其制造方法以与包含该接触发光器件170、用于清洗碳化硅颗粒方法171、具有自对准源区和阱区碳化硅功率器件与其制备方法172、碳化硅晶体生长系统173、碳化硅基陶瓷材料在腐蚀性环境中应用174、碳化硅加热元件175、通过在含氢气氛中升华生长减少碳化硅晶体中氮含量176、碳化硅制品/其制造方法以与碳化硅制品洗净方法177、制备碳化硅单晶方法178、在含氢环境中超高纯碳化硅晶体生长179、具有多孔性碳化硅基层发光二极管与其制法180、金属-碳化硅欧姆接触局部退火与其形成装置181、使用梨晶生长碳化硅漂移层形成功率半导体器件方法和由此形成功率半导体器件182、经处理以清除自由碳半导体衬底加工装置碳化硅部件183、碳化硅半导体元件与其制造方法184、沉积碳化硅和陶瓷薄膜方法185、减少碳化硅外延中胡萝卜缺陷186、一种碳化硅纳米纤维制备方法187、制备高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料零件方法188、制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料真空双搅拌装置189、一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料连接方法190、一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链制备方法191、碳化硅热处理装置和方法192、一种方镁石—碳化硅复合材料与其制备方法193、一种不定形方镁石—碳化硅复合耐火材料与其生产方法194、纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管195、纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管196、在碳&碳复合材料表面制备碳化硅涂层方法197、纳米碳化硅颗粒增强镍基复合材料复合电铸制备方法198、一种碳化硅陶瓷密封环199、一种提高纳米碳化硅浸渍浆料固含量方法200、镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料201、镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料制备方法202、碳化硅陶瓷素坯成型方法203、一种碳化硅&二氧化硅同轴纳米电缆制备方法204、碳纤维和碳化硅颗粒复合补强石英基复合材料与制备方法205、一种碳化硅纳米线制备方法206、铝-碳化硅-碳质耐火材料207、原位反应法制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷208、应变硅CMOS晶体管原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区209、同束多形碳化硅纤维与其制备方法210、碳纤维增强碳化硅复合材料防氧化涂层与其制备方法211、光学反射镜用致密碳化硅涂层制备方法212、蜂窝夹层结构碳化硅基复合材料反射镜与其制备方法213、含铝连续碳化硅纤维制备方法214、干熄焦用莫来石-碳化硅耐火材料与制备215、一种碳化硅微粉生产工艺216、碳&碳复合材料表面碳化硅纳米线制备方法217、制备碳化硅晶须方法218、三氧化二硼-碳化硅自润滑涂层与其制备方法219、碳化硅晶须生成炉与生产碳化硅晶须方法220、一种纳米级碳化硅粉体制备方法221、旋转点切割大尺寸碳化硅晶体装置222、一种碳化硅精细微粉生产方法223、一种电阻率可控导电碳化硅泡沫陶瓷材料与其制备方法224、一种碳化硅基多相复合陶瓷与其制备方法225、一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷方法226、具有纳米级碳化硅内在物耐火材料与其制造方法227、利用微波技术烧结Sialon结合碳化硅耐火材料方法228、基于熔融沉积快速成型技术碳化硅陶瓷零件制造工艺方法229、碳&碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法230、陶瓷烧结碳化硅颗粒磨块与其制作方法231、尼龙增强碳化硅磨块与其制作方法232、一种低成本/室温/快速制备碳化硅-镍核壳结构化学镀方法和工艺233、碳化硅-碳微波吸收复合材料与其制备方法234、碳化硅半导体装置与其制造方法235、利用分层实体快速成型制造碳化硅陶瓷零件工艺方法236、纳米碳化硅颗粒增强铝基复合材料与制备方法237、碳化硅晶片制备方法238、碳化硅晶须制备方法239、碳化硅半导体元件与其制造方法240、金刚石衬底上碳化硅和相关器件和方法241、碳化硅(SiC)单晶制造方法以与通过该方法得到碳化硅(SiC)单晶242、自对准碳化硅半导体器件243、具有碳化硅耐久接触方法和器件244、形成于碳化硅基板上氮化镓膜剥离方法与使用该方法制造装置245、碳化硅器件与其制造方246、铝-碳化硅质复合体247、由碳化硅制造单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管与其制造方法248、碳化硅单晶与其蚀刻方法249、纯化碳化硅结构方法250、用于大碳化硅单晶高品质生长籽晶和籽晶夹持器组合251、碳化硅MOS场效应晶体管以与其制造方法252、在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性方法253、基于碳化硅与氮化硅粘合剂烧结耐火砖254、制造高品质大尺寸碳化硅晶体方法255、从用于等离子体处理设备硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳化硅方法256、含碳化硅颗粒/制造碳化硅质烧结体方法/碳化硅质烧结体以与过滤器257、具有超薄碳化硅中间层硅基可协变衬底与制备方法258、纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体制造方法259、碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管与制作方法260、化学激励燃烧合成氮化硅&碳化硅复合粉体方法261、一种生物结构球形多孔碳化硅陶瓷材料制备方法262、高温/耐磨碳化硅陶瓷材料与其生产方法263、一种合成仿生碳化硅晶须方法264、一种方镁石-碳化硅-碳复合材料与其制备方法265、一种碳化硅─堇青石复合多孔陶瓷与其制备方法266、硼化物—碳化硅复相陶瓷与其制备方法267、用于X射线光谱分析含碳化硅材料制样方法268、一种用于砌筑高炉炉身石墨砖与碳化硅砖复合胶泥269、气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料方法270、氧化锆&碳化硅热喷涂复合纳米粉与其生产方法271、锆钛酸铅&碳化硅复合陶瓷材料与其制备方法272、碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法273、一种碳化硅纳米管化学气相沉积制备方法274、一种微米/亚微米和纳米碳化硅纤维制备方法275、一种碳纤维增韧碳-碳化硅基复合材料与其制备方法276、碳&碳/碳&碳化硅复合材料与耐热合金连接方法277、基体前驱物液汽相热解制备碳&碳-碳化硅复合材料方法278、一种泡沫碳化硅陶瓷增强铜基复合材料摩擦片与制备方法279、泡沫碳化硅&金属双连续相复合摩擦材料与其构件和制备280、一种合成碳化硅纳米棒方法281、一种合成两种不同形状碳化硅纳米线方法282、一种试管刷状碳化硅制备方法283、碳化硅-氮化硼陶瓷复合材料284、一种碳化硅还原罐与制备方法285、一种针状纳米碳化硅合成方法286、一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒方法287、碳化硅窑具与其制备工艺288、碳化硅微粉回收方法289、用天然高岭土制备碳化硅晶须&氧化铝复合陶瓷粉方法290、具有碳化硅钝化层碳化硅双极结型晶体管与其制造方法291、碳化硅半导体器件292、一种碳化硅耐火陶瓷材料制备方法293、碳化硅磁性氧化颜料组合物与其制作方法294、一种含碳化硅/铁/碳/铬钼基金属陶瓷295、用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜装置296、一种碳化硅单晶生长后热处理方法297、氧化物结合碳化硅质材料298、液相烧结碳化硅陶瓷一种生产工艺299、一种用预制YAG纳米粉作为烧结助剂碳化硅陶瓷生产工艺300、碳化硅抗结皮浇注料与其制造方法301、无色碳化硅晶体生长302、碳&碳复合材料基二硅化钽&碳化硅涂层与其制备方法303、一种碳&碳复合材料基碳化硅涂层与其制备方法304、碳化硅器件电学隔离方法305、β型碳化硅晶须增强方法与在激光快速成型中应用306、喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉方法307、常压烧结碳化硅制品快速烧结法308、常压烧结碳化硅生坯制品模压成型方法309、离子注入掩模与其制造方法,使用离子注入掩模碳化硅半导体器件与其制造方法310、一种超细碳化硅粉末提纯方法311、凝胶包裹-冷冻干燥工艺制备碳化硅多孔陶瓷方法312、一种超硬碳化硅陶瓷纳米镜面磨削方法313、具有高沟道迁移率碳化硅半导体器件与其制造方法314、氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽方法315、生长非常均匀碳化硅外延层316、氧化锆-碳化硅复合粉体制备方法317、内衬碳化硅燃烧器318、一种再结晶碳化硅制品制备技术319、非圆形截面碳化硅纤维与其制备方法320、一种嵌入物包括炭纤维多成份碳化硅陶瓷321、棒状氧化铝颗粒结合炭纤维组合增韧碳化硅陶瓷制造方法322、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法323、一种嵌入物包括纤维/晶须多成份碳化硅陶瓷324、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法325、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法326、一种含碳化硅晶片碳化硅陶瓷组合物327、一种嵌有增韧物质碳化硅陶瓷328、含有多种特征形貌氧化铝分散嵌入颗粒碳化硅陶瓷329、一种含炭纤维以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷330、一种含晶须/纤维以与棒状嵌入颗粒碳化硅陶瓷331、一种含炭纤维碳化硅陶瓷组合物332、一种含碳化硅晶须碳化硅陶瓷组合物333、一种含碳化硅晶片以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷334、一种含纤维/晶须碳化硅陶瓷组合物制造方法335、一种含碳化硅晶片碳化硅陶瓷组合物制造方法336、一种含碳化硅晶片以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷337、一种含炭纤维碳化硅陶瓷组合物制造方法338、一种含碳化硅晶须以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷339、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法340、一种含炭纤维以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷341、一种含晶须/纤维以与片状嵌入颗粒碳化硅陶瓷342、一种含碳化硅晶须以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷343、一种含碳化硅晶须碳化硅陶瓷组合物制造方法344、一种三组元组合增韧料组合增韧碳化硅陶瓷制造方法345、一种含纤维/晶须碳化硅陶瓷组合物346、利用片状氧化铝颗粒进行增韧碳化硅陶瓷制造技术347、片状氧化铝颗粒结合炭纤维组合增韧碳化硅陶瓷制造方法348、一种三物质组合增韧碳化硅陶瓷制造方法349、一种嵌入物包括碳化硅晶须多成份碳化硅陶瓷350、一种嵌入物包括碳化硅晶片多成份碳化硅陶瓷351、碳化硅半导体装置与其制造方法352、多孔陶瓷孔壁碳化硅涂层与其制备方法353、一种含有伴生非晶态球状结构碳化硅纳米线与其制备方法354、一种在碳纤维表面制备碳化硅涂层方法355、一种氮化铝增强碳化硅陶瓷与其制备方法356、一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片表面贴装片式熔断器与其制备方法357、碳化硅衬底表面重建方法358、碳化硅单晶制造方法359、碳化硅层制造方法/氮化镓半导体器件以与硅衬底360、制备碳化硅单晶方法361、具有抑制少数载流子注入碳化硅结势垒肖特基二极管362、碳化硅半导体器件与其制造方法363、其上有碳化硅功率器件半导体晶圆处理方法364、使用原子氧在碳化硅层上制造氧化层方法365、碳化硅半导体器件366、形成具有高反型层迁移性碳化硅MOSFETS方法367、高比表面碳化硅基催化载体与过滤器368、碳化硅前体与其用途369、一种位于金属部件和碳化硅基和&或碳基陶瓷材料部件之间装配件370、光激发碳化硅高压开关371、高电压碳化硅半导体器件环境坚固钝化结构372、铝-碳化硅复合体和使用该复合体散热零件373、制造碳化硅半导体器件方法374、一种铸型尼龙/碳化硅复合浮选机叶轮生产方法375、一种低温合成碳化硅原料配方与方法376、一种用于烧结三元催化汽车尾气过滤器陶瓷滤芯碳化硅超细粉与其生产方法377、反应烧结碳化硅生产方法378、一种碳纤维增强反应烧结碳化硅陶瓷与其制备方法379、碳&碳-碳化硅陶瓷基复合材料制备方法380、火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层制备方法381、超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物与制备产品方法382、铝碳化硅集成电路管壳凝胶注模材料组合物与制备产品方法383、中体积分数铝碳化硅金属基复合材料组合物与制备产品方法384、一种从切割废砂浆中回收硅粉和碳化硅粉方法385、高掺杂浓度碳化硅外延生长方法386、一种磁悬浮列车滑撬所用炭&炭-碳化硅材料制备方法387、一种碳化硅反射镜材料制备方法与其CVI成形装置388、炭&炭-碳化硅复合材料刹车闸瓦闸片制造方法389、制备高比表面碳化硅纳米管方法390、浮动催化法制备碳化硅&二氧化硅同轴纳米电缆391、一种高耐压碳化硅光导开关392、固相烧结碳化硅陶瓷表面腐蚀方法393、一种以碳化硅为惰性基体核燃料与其制备方法394、用膨胀石墨或柔性石墨纸制备碳化硅制品方法395、一种制备纳米碳化硅方法396、鱼雷罐用铝碳化硅碳砖与鱼雷罐内衬结构397、鱼雷罐内衬结构和鱼雷罐用铝碳化硅碳砖/高铝砖398、一种高温结晶碳化硅电热元件生产方法399、高电阻常压烧结碳化硅制品生产方法400、一种黑和绿碳化硅金刚砂墙砖制作方法401、一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面处理方法402、一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置403、基于氮化铝缓冲层硅基C-碳化硅异质外延生长方法404、碳化硅复相陶瓷制备方法405、碳纤维增强多孔型常压烧结碳化硅与其制备方法406、纳米复合碳化硅陶瓷与其制备方法407、锅炉除灰管道碳化硅补气环与其制作方法408、锅炉煤粉管道碳化硅均流体与其制作方法409、优质短碳纤维增韧碳化硅复合材料/制备方法与应用410、可见光波段内碳化硅反射镜高反膜与其制备方法411、超大尺寸碳化硅空间反射镜坯体制造方法412、制备碳化硅多孔陶瓷燃烧合成法413、一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件方法414、逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料方法415、一种碳化硅泡沫陶瓷太阳能空气吸热器416、碳化硅半导体器件与其制造方法417、碳化硅陶瓷液相烧结预混造粒粉料制备方法418、一种低温制备立方碳化硅纳米线方法419、一种蓄能发电兼顾生产碳化硅发电系统420、一种碳化硅钛陶瓷粉体常压合成方法421、一种无TiC杂质相碳化硅钛陶瓷粉体合成方法422、电容耦合等离子体装置与在硅衬底上生长碳化硅薄膜方法423、P型碳化硅器件与其制作方法424、燃烧合成均质纳米碳化硅粉体方法425、氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法426、一种碳化硅陶瓷427、一种能回收冶炼废气碳化硅冶炼炉428、汽车气缸套内壁表面浸渗碳化硅新工艺429、一种冶炼绿色碳化硅磨料方法430、碳化硅质泡沫陶瓷过滤器431、一种无损腐蚀碳化硅方法432、采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜方法433、纳米碳化硅陶瓷与其制备方法434、碳化硅晶体生长方法和装置435、一种包括炭纤维多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法436、一种包括碳化硅晶须多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法437、多形态氧化铝颗粒组合增韧碳化硅陶瓷制造方法438、一种包括碳化硅晶片多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法439、一种包括晶须/纤维多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法440、碳化硅陶瓷耐磨结构件与其制造方法441、一种碳化硅陶瓷密封环442、一种用于橡胶模具碳化硅陶瓷坯体制备方法443、一种介孔结构高比表面碳化硅材料与其制备方法444、一种高压氢还原法制备镍包碳化硅复合粉末方法445、一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料方法本套《碳化硅制品、碳化硅微粉生产工艺、碳化硅陶瓷生产技术专利资料汇》技术资料光盘均含实用新型和科研成果，资料中有技术资料全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。本套资料售价（280元）包特快专递2-4天到货如何购买和付款１：银行汇款：（总价+邮费）汇入下列任一银行帐号，款到后立即发货！交通银行卡号：00&用户名：时康蕖邮政储蓄卡号：02&用户名：时康蕖建设银行卡号：13&用户名：时康蕖工商银行卡号：02&用户名：时康蕖农业银行卡号：83&用户名：时康蕖汇款后请用手机短信或电话联系，联系电话&qq&告知，告诉所需光盘名称、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址
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