作者:海飞乐技术 时间: 11:49
从广义嘚讲IGBT也是三极管,是一种特殊的三极管绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层根據国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名 其相当于相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR , Rdr是厚基区GTR的扩展電阻IGBT是以GTR
为主导件、MOSFET
IGBT与三极管的关系看其结构图就一目了然了,IGBT结构图如下
IGBT结构上类似于MOSFET 其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板(漏极)仩增加了一个P+ 基板(IGBT 的集电极),形成 PN 结j1 并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构 N+区称为源区,附于其上的电极称为源极 N+
区称为漏区。器件的控制区为栅区附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region )而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区与漏区和亞沟道区一起形成 PNP
双极晶体管,起发射极的作用向漏极注入空穴,进行导电调制以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极
为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子)漏极引出的电极端(子)称为集电極端(子)。这又回到双极晶体管的术语了但仅此而已。
N沟道IGBT等效电路与电气符号
集中结构的三极管电路符号