stmicroelectronics对外沁园滤芯是鼎安代工吗吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-03-12 03:26 标签： stmicroelectronics 3
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　　意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。
多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小，传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到最高水准，无法在实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术，该技术兼备最高性能、低工作功耗（在各种应用中，降低电源功率后还能保持良好的性能）和低待机功耗。
凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件，遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障，意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而 20纳米 FD-SOI器件目前处于研发阶段，预计2013年第三季度投入原型设计。
意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台，这项技术将使ST-Ericsson的 NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的时候可降低功耗达35%。
意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术，让他们能够使用目前最先进的 28纳米和20纳米技术研发产品。分类： |国际整合元件大厂1T PSRAM订单纷至沓来_网易科技
国际整合元件大厂1T PSRAM订单纷至沓来
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据港台媒体报道，全球整合元件(IDM)大厂外包代工趋势愈趋明显，继日前NAND型块闪存()大厂()将旗下1T PSRAM产能外包予华邦电(2344)后，IDM大厂(STMicroelectronics)也将其原本在自家晶圆厂生产的1T PSRAM，外包给茂德(5387)代工，国际IDM大厂近期频频释单台厂，主要系将自家产能专注在更具获利空间的产品。
华邦电总经理徐英士日前表示，尽管与东芝在标准型DRAM合作上已告终止，但双方仍对于未来合作项目进行接触，原本外界多猜测双方合作将扩展到NAND型Flash，结果却出乎意料之外，双方合作主要锁定1T PSRAM。
内存厂商透露，东芝未将NAND型Flash委由华邦电代工，主要系因NAND型Flash属于大宗产品，需要大量生产才能达到经济效益，而1T PSRAM对于东芝而言，属于小宗产品，并不需要大量生产，但这部分产能对于华邦电而言，却已属于比大宗产能，因此，双方合作可达到双赢局面。
如今同样模式也套用在意法及茂德身上。茂德表示，目前代工产能大约占8寸厂产能3～5%，未来随着中科12寸厂产能逐步拉高，标准型DRAM产能将转进12寸厂，不再仰赖8寸厂生产，多出来的产能将积极转进代工市场，目前估计到2006年代工产能将占8寸厂总产能达50%左右。
茂德表示，未来主要代工产品将着重在1T PSRAM及Low Power SDRAM，现已确定将会替意法代工1T PSRAM产品，而这也是继茂德替现代(Hynix)代工标准型DRAM后，又进一步充分利用8寸厂产能代工利基型DRAM。
至于国际IDM大厂纷将利基型产能外包代工，最主要是希望将现有产能更专注化，像是东芝便是专注在NAND型Flash，意法则专注于NOR型Flash及其余半导体芯片，因此，相对于IDM大厂属于小规模产能的内存产品，便无需再额外拨出产能去因应，遂采用外包代工模式以达到最大效益。
本文来源：天极yesky
责任编辑：王晓易_NE0011
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