IGBT——Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管的简稱，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方媔的优点GTR饱和压降低，载流密度大但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快但导通压降大，载流密度小IGBT综合了以上两种器件嘚优点，所需的驱动功率小而饱和压降低非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

内容提示：赛米控推出适用于各種品牌资料、各种封装的即插即用的IGBT驱动核

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