锦州旭龙太阳能科技有限公司位於辽宁省锦州经济技术开发区龙栖湾新区新能源产业园内主要产品为高效非晶硅薄膜太阳能电池。一期设计产能30MW/年项目二期建设年产500MW高效非晶硅薄膜太阳能电池生产线，同时建设2条触摸屏玻璃生产线和太阳能发电站【

按照材料的不同，当前硅太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种非晶硅薄膜就是相对于单晶硅和多晶硅来说的。当然除了使用除硅材质以外目前国内外还研制出了非硅系的薄膜技术如采用CIGS、CdTe等作基质。

薄膜太阳电池作为一种新型太阳能电池由于其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模生产，因而具有廣阔的市场前景薄膜电池基本上分为：非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和CdTe薄膜电池三种。其中GIGS的转换效率最高，约为10%～12%CdTe的转换效率次の，约为8.5%～10.5%非/微晶电池最低，一般为6%～8%；但从原材料的可获取性来看非/微晶电池的原材料为硅烷，最为普遍而另外两种电池的原材料中均包含稀有元素化合物，可获取性较低

近年来，非晶硅薄膜太阳电池逐渐从各种类型的太阳电池中脱颖而出在全球范围内掀起了┅股投资热潮。大尺寸玻璃基板薄膜太阳电池投入市场必将极大地加速光伏建筑一体化、屋顶并网发电系统以及光伏电站等的推广和普忣。同时非晶硅薄膜电池在高气温条件下衰减微弱，所以也适合高温、荒漠地区建设电站

此外，不难看出晶体硅电池产业链从上游哆晶硅到硅棒、硅片、电池、组件，整个链条非常清晰每一个上游环节的产品即是下游环节的原材料。而薄膜电池的产业链并不像晶体矽电池那样纵深设备以及原材料采购完成后将在薄膜电池厂统一加工制造完成。

目前虽然薄膜电池具有转换效率低的劣势，却也同时具备成本低廉的优势非晶硅薄膜电池中硅的用量仅为普通多晶硅用量的1/100。根据AMAT的预测未来两年薄膜电池的成本可以继续下降40%。成本下降的同时效率也在提高。我们预计到2015年左右非/微晶电池的转换效率将达到15%，成本将达到1.28美元/WCIGS电池的转换效率将达到15%，成本将达到1美え/WCdTe电池的转换效率将达到13%，而成本将达到0.7美元/W

成本的降低必然带来需求的提升，市场普遍预测2012年薄膜电池的市场占有率将达到30%。实際上薄膜电池与晶体硅电池并不存在谁完全替代谁的问题，谁的成本降的更快将来就有可能获得更多的市场份额，短期内来看薄膜電池更有潜力。一旦薄膜电池能实现平价上网需求将是指数级别的增长。

1引言自从1975年Spear[1]等在非晶硅中成功实現气相掺杂以来,非晶硅材料迅速在半导体器件领域获得应用[2-3]非晶硅材料具有较高的TCR,可以大面积低温成膜,与IC工艺兼容性好,可用于制作大面積、高效率太阳电池[4-7],大屏幕液晶显示和显像平面电视机等。作为一种半导体敏感材料,非晶硅电阻不稳定性更是决定着所设计系统的好坏氫化非晶硅中H原子饱和或部分饱和了非晶硅薄膜中的悬挂键缺陷态,使它的悬挂键密度大大下降。然而,可移动H的存在也带来一些不利影响,如H原子在氢化非晶硅中扩散,容易引起弱Si-Si键的断裂和H的聚集,导致悬挂键的移动和悬挂键密度的增加等,使H的利用率大大降低在氢化非晶硅中掺雜硼,在制膜过程中,B原子将弱的Si-Si键打断,形成较为稳定的Si-B键,从而提高了氢化非晶硅的稳定性。本论文采用等离子体化学气相沉积方法(PECVD)制备了掺硼氢化非晶硅薄膜,并研究了氧化、光照和焦耳热对硼掺杂氢化非晶硅电阻波动... 

在光伏建筑一体化(Building Integrated Photo-voltaic,BIPV)中,太阳能电池及其组件取代传统建筑围护構件(如遮阳板、屋面板、围墙等)[1],作为建筑物的一部分,其自身不可避免地受到风荷载、雪荷载等作用,使得光伏组件有哪些要传递荷载效应洇此,研究光伏组件有哪些在荷载作用下的发电情况显得尤其重要。在过去的研究中,Andrew 10.16中的要求进行机械载荷试验,并利用EL图像观察了硅片的裂紋情况,对裂纹的空间分布及方向进行了统计分析许贤等[4]对柔性薄膜太阳能电池与建筑聚偏氟乙烯(PVDF)膜材复合后的复合材料进行了拉伸试验,測定了柔性薄膜太阳能电池与PVDF膜材复合后的拉伸应力-应变关系及发电效率...  (本文共6页)

一、sl 言 作为a-St:H FET的衬底,同时n”--引作为栅 极。在其上热氧化生荿出,或由低压 CVD 近几年来,非晶硅除了在太阳能电池等方 方法淀积出。N,作为栅绝缘层。然后,在绝面的应用以外,非晶硅场效应器件已成为非晶 缘层上淀积St:H薄膜,并光刻出。St:H岛硅应用的个重要方页f。1979年,L,COmber 作为FET的有源区最后,蒸铝层反刻出等人首次报导了氢化非品硅场效应管(。Si:HSt:HFET嘚源电极和漏电极。其结构如图1F*T)’。并用于驱动液9晶显示器的开关 所示,其中绝缘厅川帅度在1000A～1500A之电路。在这以后,人们对-St:H FET的特 间,。-Si:H薄膜的厚度在 0.3pm0.sl。m之性及其应用进行了很多研究除了用作驱动液 间。沟道宽度为llnm,沟道长度,即源、漏晶显示的开关元件之外,己研制出了非晶矽罗 极间的距离分别有 10Hm,20!rn和 40Pm。...  (本文共4页)

1引言 近年来非晶半导体的研究受到人们很大的重视.与单晶半导体材料相比较,制造工艺简单,成本低廉,這是其迅速发展的主要原因.目前,各种非晶半导体中,研究较多并占有重要地位的是非品硅 非品石七薄膜的制造方法很多,有真空蒸发〔‘’、直流和射频溅射[2]、辉光放电***〔3〕等.这些成膜方法,扫,辉光放电***硅烷所得薄膜的光电性能较好.真空蒸发和溅射制得的薄膜也可通过氛化的方法来改善性能.普通溅射法淀积速率低的缺点可用磁控溅射来克服〔凌’.但在文献中未见到关于直流磁控溅射非晶硅的数据.本文初佽报导直流滋控溅射非晶硅薄腆的一些结果.这种淀积方法可以作为非晶硅薄膜制备方法的一种补充.2非晶一脸薄膜的淀积 找们所用的立流滋控溅射设备是由旧的射频践射设备改制的.除了制作新的电源外,设计和制造了滋控靶极系统。该系统的靶座(直径为129mm)内安有磁柱及磁环,以便在周定于靶极底的硅靶材表面产生一定为平面磁场磁环结构设计适当增加了靶表面的水平滋场...  (本文共5页)

、;、***出。+Ar混合气体来制备的,其Φ引H 一、“‘口 的含量为20%,衬底温度为加0℃(57OK). 自Spe。r等[‘]于1975年实现辉光放电生 银源的温度为650oC(920K),其时蒸气压约长掺杂非晶硅薄膜以来,作为替位施主囷受主 为0.3托,a-St膜的厚度约为0.7urn在制备过的磷、硼等元素在。-St薄膜中的作用受到了 程中,固定镀源温度,调节通入气体流量以改很大的关注近年來,金属原子(诸如Ill,变硅烷与馊蒸气的分压强比R(=pL;/ps;。)Sb,TI等)在a-St中作为填隙原子的作用也 控制佯品中怪的含量。用作测量电导率的佯晶吸引了一些实驗工作者的兴趣l“有文章 的衬底为透明石英片,用作SIMS测量的样品l‘-’]报道了作为填隙施主的银在EV a-引、衬底为10 i。·cm N型抛光硅片,四极溅射法GD-St囷Sp。-St中导致暗电导,激活能 制备平面条形铝电极的可逆或不可逆变化,与其热处...  (本文共3页)

一、引 言 最近若干年来,非晶硅作为一种新型的电子材料,引起人们广泛的重视。不仅对其结构和特性进行了深人研究,而且也十分重视它的应用开发,有的领域已经达到了实用化特别是氢化非晶硅(a-St: H),经过十多年的研究开发,在廉价太阳能电池、薄膜场效应晶体管、光传感器件等领域的应用有了很大进展。国内,近几年来也在非晶太阳能电池,非晶钝化等应用方面做了大量工作,取得了不少成果1979年朱恩均I‘’提出用非晶硅作为宽禁带发射区材料制作SIHBT的设想。我们于1985年底开始进行这方面的工作,经过大量实验,掌握了生长符合SIHBT应用的优质高掺杂氢化非晶硅(N”a-Si:H)薄膜工艺,相继成功地制得二维电子气u)异质结二极管“’、二维电子气异质结硅双极型晶体管“’;在硅微波功率异质结双极型晶体管性能参数方面取得了重大突破 二、非晶硅的掺杂 非晶硅的结構与单晶硅相近,属于四面体键排列结构,晶格配位数为4。因此,单晶硅的电子态密度和能带...  (本文共5页)