上海新颖半导体照明有限公司 > 供应产品 > 供应半导体路灯(图)
组合法制作，采用单颗30WLED，3颗组合方式，使其功率达到90W。光通量达到达3400LM以上。
2、解决大功率30WLED的散热问题，灯罩采用镂空处理，灯具采用散热条结构，达到其通风性，配合公司的超导热管灯专利技术。完美解决了LED散热问题。
3、应用恒流脉宽调制技术驱动半导体，用脉冲驱动半导体可以降低P-N结温度，提高半导体 发光效率，降低能耗。脉宽调制技术半导体光源结合，实现了传统控制器无法 达到的分阶段调光技术，从而达到高效、节能的目的。此技术上我公司申请了专利，专利名称：脉冲恒流LED
4、应用二次光学处理，设计出独有LED透镜，使其照射范围和均匀度、照度等达到《城市道路照明设计标准》CJJ45-2006的道路照明要求。上一次说的太笼统，大家不好分析，这次上图，麻烦各位帮忙分析一下!
从图片可以看到02和26图片是比较好的，4和9主要是黑边毛刺，光刻胶用的是30黏度江苏瑞红RFJ-220负胶
分析：光刻工艺：增黏HMDS 30分钟 150度 胶厚11000左右 匀胶后前烘45秒125度 曝光能量10MJ/CM2 显影低速喷液7秒+高速甩干4秒+低速漂洗5秒+高速甩干6秒 坚膜30分钟150度 打底膜2分钟 腐蚀配比：磷酸22L + 硝酸700ML + 冰乙酸700ML + 水1400ML 腐蚀温度72度 AL层厚度4.5-5.5左右 腐蚀设备：湿法腐蚀，石英加热缸，配酸后人工搅拌，不是那种循环的设备. 说明：这种腐蚀设备和工艺有些落后，不过我们做的是大线宽12UM以上，所以建议说换设备的说法就不要了。主要是在这种设备条件下改进工艺。 另外上面那张腐蚀的好的图片是3.7UM大的管芯，而腐蚀的差的那两张是1.4UM的小管芯，且这小管芯和那大管芯一样的AL层厚度，所以说腐蚀难度非常大。 在这里诚请大家帮忙分析一下，找下原因，给些方法，工艺波动压力很大啊！谢谢！
提高胶与基片的粘附能力。 不过湿法工艺至少在3um及以上工艺可用，1um多的线条用湿法还是第一次见到。
1.我们的腐蚀线条在15um以上，不是楼上所说的1um,那样必须干法刻蚀的.
2.我上面说的管芯大小应该为3.7mm和1.4mm,特此更正一下，对不起！
你上面02#和26#的曝光计量与04#和09#的曝光剂量一样吗？我感觉像这种负胶小管芯应当比大管芯的曝光剂量要小一些，显影时间要相对长一些（在AL厚相同的情况下）否则是很难腐蚀尽的，尤其是那种不是循环的设备。另外你们在湿法腐蚀时是上下点动进行刻蚀的吗？这一点也是非常重要的。个人意见，不知是否正确，仅供参考~~
光刻工艺可以试着用lit-off工艺吧？这样就不用湿法刻蚀了
光刻工艺能不能改成lift off工艺呢？这样就不用湿法刻蚀了。
lz好:关于铝腐蚀我有如下建议希望对您有所帮助:
1)腐蚀液配中冰乙酸可加大比例这对铝条边沿会有一定改善.
2)腐蚀温度还可降低一些如60--65度范围腐蚀速率约350nm400nm/分钟.
3)新酸配制的腐蚀液在60--65度先做一下熟化,目地是酸混充份(很有必要).
4)由于铝较厚腐蚀时间会长,若工艺方便可改用45cp或60cp粘度胶匀的厚一些,应充份爆光,显影后的留膜率应95%而不仅是匀胶厚度.
5)另外腐蚀铝的效果只与铝质,铝厚,铝条宽窄有关而与芯片大小无关所谓3.7mm或1.4mm良劣或许不是必然的.
我想知道贵公司硅衬底引线孔中铝白于硅化物绝缘层上的铝,为什么.其它产品也这样吗?谢谢!
LZ展示的照片，金属边界 ...var doc=document,args=arguments,elm, doc.$imgSwa =new Array(); for(n=2; n
虽然这一组图片很明白的是 Intel 为自家的 Core i7 打的广告（「我们在这里以 Intel Core i7 为例」），但仍然是了解现代处理器制作工艺的一个好方法。下图是第一组图，由沙到单晶硅的过程。
普通的沙子约有 25% 的硅，是地壳中仅次于氧的最常见元素，主要以二氧化硅的形态存在。这些硅经过多个步骤纯化后，达到足以制成芯片的质量 — 每十亿个硅原子中，仅能出现一个别种的原子。最后这些高纯度的硅原子结晶成一颗巨大的单晶硅（直径 8~12 吋），重可达 100 kg！
接下来，单晶硅块被横向切成一片片薄薄的薄片，每一片就是一片「晶圆」。这些晶圆经过抛 光后，就形成了制造芯片的原料。最早期的晶圆因为技术的关系，直径大约只有两寸，而今天最先进的晶圆厂则已经可以处理 12 寸的晶圆了。晶圆直径越大，切割时浪费的部份就越少，而且每一颗芯片的单价越低。
再下来就开始芯片的生产啦！整块晶圆被一层薄薄的特殊材质覆盖，这种材质的特性是当它被紫外线光照射到的部份，会变成可被溶液溶解。因此只要紫外 线光透过一个有电路纹路的屏蔽照射在晶圆上，就可以在晶圆上印出和屏蔽相同的图案来。在屏蔽和晶圆间有片放大镜，可以将比较大号的屏蔽图案缩小后照在晶圆上。
上一步的时候说过，被紫外线光照射到的部份会变成可溶解，所以这时候只要把晶圆泡在溶液 里，被照射到的部份就会被溶掉，只剩下没被照射到的部份。剩下来的特殊材质成为保护硅的「保护膜」在下一步蚀刻时，有保护膜的部份不会被蚀刻掉。最后再把 特殊材质洗掉，就变成有刻入纹路的硅晶了。
除了蚀刻纹路外，为晶圆「加料」也是一个常见的步骤。将不需要加料的部份同样的特殊材料保护起来，剩下来的部份用高速离子轰炸，就能改变硅的电气特性，形成不同的晶体管组件。在上图的的例子中，绿色是被加料的部份，桃红色的是绝缘体，浅蓝色是被加另一种料的部份。
迷你的晶体管完成后，最后一步就是将整个晶体管绝缘起来，只留下未来要连接其它晶体管的接点。接点的制做方式，是将铜电镀到预先留好的洞里，再把多余的铜抛光磨掉。
下一步，就是在晶体管之间拉细细的铜线。哪条线该连到谁由芯片的设计所决定，但总而言之是非常复杂的。虽然芯片表面上看起来是平的，但事实上可以有多达 20 层的线穿缩在晶体管之间。
线拉完之后，芯片本身的制作就完成了。接下来是简单的测试，将一组特定的讯号送入芯片中，再 ...谁有2030功放电路图BTL。（全图），或是其它的也...
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