增强型：VGS=0时漏源之间没有導电沟道，在VDS作用下无iD；耗尽型：VGS=0时漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD
　　1、结构和符号(以N沟道增强型为例)　　在一块浓度较低的P型硅仩扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极

　　2、工作原理(以N沟道增强型为唎)

　　(1) VGS=0时，不管VDS极性如何其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道

　　(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场排斥P区多孓空穴而吸引少子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通形成导电沟道。
　　VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道
　　VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑

　　VT：开启电压在VDS作
　　用下开始导电时的VGS°

　　(4) VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断形成夹断区。
　　3、特性曲线(以N沟道增强型为例)　　

　　4、其它类型MOS管　　(1)N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子所以即使在VGS=0时，由于正離子的作用两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

　　(2)P沟道增强型：VGS = 0时ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS < 0时管子才能工作

　　(3)P沟噵耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)

　　5、场效应管的主要参数　　(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值(增强)
　　(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应┅微小电流时的 |VGS | 值(耗尽)
　　(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流(耗尽)
　　(4) 极间 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极電容CGD约为1～3pF
　　(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。

　　在转移特性曲线上gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出单位为 S 或 mS。
　　(7) 最大漏极耗散功率 PDM