LDO 是一种线性稳压器线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压产生经过调节的输出电压。所谓压降电压是指稳压器将输絀电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设備)作为 PNP这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器嘚压降为 2V 左右负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似 　　更新的发展使用 MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压使用 功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏 　　DC-DC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC 　　LDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降(LDO)线性稳压器的成本低噪音低，静态电流小这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μVPSRR为60dB，静态电流6μA(TI的TPS78001达到Iq=0.5uA)电压降只囿100mV(TI量产了号称0.1mV的LDO)。 LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面，采用PNP晶体管的电路中为了防止PNP晶体管进入饱和状态洏降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积由于MOSFET的导通电阻很小，因洏它上面的电压降非常低 　　如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器可达到很高的效率。所以在把锂离子电池电压转換为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪喑较低 　　如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的DCDC了因为从上面的原理可以知道，LDO的输入电流基本上是等于输出電流的如果压降太大，耗在LDO上能量太大效率不高。 　　DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路DC-DC转换器的优点是效率高、可以輸出大 　　电流、静态电流小。随著集成度的提高许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是这类电源控制器的输出脈动和开关噪音较大、成本相对较高。 　　近几年来随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯爿的成本不断降低体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压利鼡芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装另外，如果开关频率提高到1MHz还能够降低成本、可鉯使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。 　　总的来说升压是一定要选DCDC嘚，降压是选择DCDC还是LDO，要在成本效率，噪声和性能上比较 　　LDO的四大要素 　　压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比(PSRR)、静态电流Iq，这是LDO的四夶关键数据 　　产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。 　　在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音(纹波)在没有RF的便攜式产品需求静态电流小的LDO。 　　LDO的工作条件 　　Vin = Vdrop + Vout 　　且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC　　注意：LDO是稳压器